半导体 组件 industries, llc, 2004
april, 2004 − rev. 5
1
发行 顺序 号码:
ntd40n03r/d
NTD40N03R
电源 场效应晶体管
45 放大器, 25 伏特
n−channel dpak
特性
•
planar hd3e 处理 为 快 切换 效能
•
低 r
ds(在)
至 降低 传导 丧失
•
低 c
iss
至 降低 驱动器 丧失
•
低 门 承担
•
优化 为 高 一侧 切换 (所需的)东西 在
high−efficiency dc−dc 转换器
•
pb−free 包装 是 有
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指定)
参数
标识 值 单位
drain−to−source 电压 V
DSS
25 Vdc
gate−to−source 电压 − 持续的 V
GS
±
20 Vdc
热的 阻抗 − junction−to−case
总的 电源 消耗 @ t
C
= 25
°
C
流 电流
− 持续的 @ t
C
= 25
°
c, 碎片
− 持续的 @ t
一个
= 25
°
c, 限制 用 线
− 单独的 脉冲波 (tp
≤
10
s)
R
JC
P
D
I
D
I
D
I
D
3.0
50
45
32
100
°
c/w
W
一个
一个
一个
热的 阻抗 − junction−to−ambient
(便条 1)
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
流 电流 − 持续的 @ t
一个
= 25
°
C
R
JA
P
D
I
D
71.4
2.1
9.2
°
c/w
W
一个
热的 阻抗 − junction−to−ambient
(便条 2)
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
流 电流 − 持续的 @ t
一个
= 25
°
C
R
JA
P
D
I
D
100
1.5
7.8
°
c/w
W
一个
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−55 至
175
°
C
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, 1/8
″
从 情况 为 10 秒
T
L
260
°
C
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现
和 可靠性 将 是 影响.
1. 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 0.5 sq. 在 垫子 大小.
2. 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 最小 推荐
垫子 大小.
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45 amperes, 25 伏特
R
ds(在)
= 12.6 m
(典型值)
标记 图解
&放大; 管脚 assignments
40n03= 设备 代号
Y = 年
WW = 工作 week
情况 369aa
D
S
G
YWW
T40
N03
4 流
3
源
1
门
2
流
N−CHANNEL
DPAK
(表面 挂载)
样式 2
情况 369d
DPAK
(笔直地 含铅的)
样式 2
1
2
3
4
4 流
1
门
2
流
3
源
YWW
T40
N03
4
1
2
3
看 详细地 订货 和 shipping 信息 在 这 包装
维度 部分 在 页 6 的 这个 数据 薄板.
订货 信息
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