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资料编号:882240
 
资料名称:UCC27424D
 
文件大小: 385K
   
说明
 
介绍:
DUAL 4-A HIGH SPEED LOW SIDE MOSFET DRIVERS WITH ENABLE
 
 


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slus545b −十一月 2002 − 修订 十一月 2004
3
www.德州仪器.com
绝对 最大 比率 在 运行 自由-空气 温度 (除非 否则 指出)
供应 电压, v
DD
−0.3 v 至 16 v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
输出 电流 (outa, outb) 直流, i
输出_直流
0.3 一个. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
搏动, (0.5
µ
s), i
输出_搏动
4.5 一个. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
输入 电压 (ina, inb), v
−5 v 至 6 v 或者 v
DD
+0.3 (whichever 是 大). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
使能 电压 (enba, enbb) −0.3 v 至 6 v 或者 v
DD
+0.3 (whichever 是 大). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
电源 消耗 在 t
一个
= 25
°
c (dgn 包装) 3 w. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(d 包装) 650 mw. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(p 包装) 350 mw. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
接合面 运行 温度, t
J
−55
°
c 至 150
°
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
存储 温度, t
stg
−65
°
c 至 150
°
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
含铅的 温度 (焊接, 10 秒.), 300
°
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
压力在之外 那些 列表 下面 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率 仅有的, 一个nd
函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之外 那些 表明 下面 “recommended 运行 conditions” 是 不
暗指. 暴露 至 绝对-最大-评估 情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
所有 电压 是 和 遵守 至 地. 电流 是 积极的 在, 负的 输出 的 这 指定 终端.
电的 特性
V
DD
= 4.5 v 至 15 v, ta = −40
°
c 至 105
°
c,t
一个
= t
J
, (除非 否则 指出)
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
输入 (ina, inb)
V
在_h
, 逻辑 1 输入 门槛 2 V
V
在_l
, 逻辑 0 输入 门槛 1 V
输入 电流 0 v <= v
<= v
DD
−10 0 10
µ
一个
输出 (outa, outb)
输出 电流 V
DD
= 14 v, 看 便条 1, 看 便条 2 4 一个
V
OH
, 高-水平的 输出 电压 V
OH
= v
DD
– v
输出
,i
输出
= −10 毫安 330 450 mV
V
OL
, 低-水平的 输出 水平的 I
输出
= 10 毫安 22 40 mV
输出 阻抗 高
T
一个
= 25
°
c, i
输出
= −10 毫安, V
DD
= 14 v,
看 便条 3
25 30 35
T
一个
= 全部 范围, I
输出
= −10 毫安, V
DD
= 14 v,
看 便条 3
18 45
输出 阻抗 低
T
一个
= 25
°
c, I
输出
= 10 毫安, V
DD
= 14 v,
看 便条 3
1.9 2.2 2.5
T
一个
= 全部 范围 I
输出
= 10 毫安, V
DD
= 14 v,
看 便条 3
1.2 4.0
获得-向上 保护 看 便条 1 500 毫安
注释: 1. 保证 用 设计. 不 测试 在 生产.
2. 这 pullup / pulldown 电路 的 这 驱动器 是 双极 和 场效应晶体管 晶体管 在 并行的. 这 搏动 输出 电流 比率是 这
联合的 电流 从 这 双极 和 场效应晶体管 晶体管.
3. 这 pullup / pulldown 电路 的 这 驱动器 是 双极 和 场效应晶体管 晶体管 在 并行的. 这 输出 阻抗 是 这 r
ds(在)
这 场效应晶体管 晶体管 当 这 电压 在 这 驱动器 输出 是 较少 比 这 饱和 电压 的 这 双极 晶体管.
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