SST39VF010_集成电路资料查询网

数据 薄板
512 kbit / 1 mbit / 2 mbit / 4 mbit multi-目的 flash
sst39lf512 / sst39lf010 / sst39lf020 / sst39lf040
sst39vf512 / sst39vf010 / sst39vf020 / sst39vf040
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©2001 硅 存储 技术, 公司 s71150-03-000 6/01 395
图示 6: ce# c
ONTROLLED
P
ROGRAM
C
YCLE
T
IMING
D
IAGRAM
图示 7: D
ATA
# p
OLLING
T
IMING
D
IAGRAM
395 ill f05.0
地址 一个
ms-0
DQ
7-0
T
DH
T
CPH
T
DS
T
CP
T
AH
T
作
T
CH
T
CS
WE#
SW0 SW1 SW2
5555 2AAA 5555 地址
AA 55 A0 数据
内部的 程序 运作 开始
字节
(地址/数据)
OE#
CE#
T
BP
便条: 一个
MS
= 大多数 重大的 地址
一个
MS
=A
15
为 sst39lf/vf512, 一个
16
为 sst39lf/vf010,
一个
17
为 sst39lf/vf020 和  一个
18
为 sst39lf/vf040
395 ill f06.0
地址 一个
ms-0
DQ
7
DD# D# D
WE#
OE#
CE#
T
OEH
T
OE
T
CE
T
OES
便条: 一个
MS
= 大多数 重大的 地址
一个
MS
=A
15
为 sst39lf/vf512, 一个
16
为 sst39lf/vf010,
一个
17
为 sst39lf/vf020 和  一个
18
为 sst39lf/vf040

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数据薄板 512 kbit / 1 mbit / 2 mbit / 4 mbit multi-目的 flash sst39lf512 / sst39lf010 / sst39lf020 / sst39lf040 sst39vf512 / sst39vf010 / sst39vf020 / sst39vf040 11 ©2001 硅存储技术, 公司 s71150-03-000 6/01 395 图示 6: ce# c ONTROLLED P ROGRAM C YCLE T IMING D IAGRAM 图示 7: D ATA # p OLLING T IMING D IAGRAM 395 ill f05.0 地址一个 ms-0 DQ 7-0 T DH T CPH T DS T CP T AH T 作 T CH T CS WE# SW0 SW1 SW2 5555 2AAA 5555 地址 AA 55 A0 数据内部的程序运作开始字节 (地址/数据) OE# CE# T BP 便条: 一个 MS = 大多数重大的地址一个 MS =A 15 为 sst39lf/vf512, 一个 16 为 sst39lf/vf010, 一个 17 为 sst39lf/vf020 和一个 18 为 sst39lf/vf040 395 ill f06.0 地址一个 ms-0 DQ 7 DD# D# D WE# OE# CE# T OEH T OE T CE T OES 便条: 一个 MS = 大多数重大的地址一个 MS =A 15 为 sst39lf/vf512, 一个 16 为 sst39lf/vf010, 一个 17 为 sst39lf/vf020 和一个 18 为 sst39lf/vf040

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