数据 薄板
512 kbit / 1 mbit / 2 mbit / 4 mbit multi-目的 flash
sst39lf512 / sst39lf010 / sst39lf020 / sst39lf040
sst39vf512 / sst39vf010 / sst39vf020 / sst39vf040
9
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71150-03-000 6/01 395
交流 特性
表格 9: R
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
V
DD
= 3.0-3.6v
为
sst39lf512/010/020/040
和
2.7-3.6v
为
sst39vf512/010/020/040
标识 参数
sst39lf512-45
sst39lf010-45
sst39lf020-45
sst39lf040-45
sst39lf020-55
sst39lf040-55
sst39vf512-70
sst39vf010-70
sst39vf020-70
sst39vf040-70
sst39vf512-90
sst39vf010-90
sst39vf020-90
sst39vf040-90
单位最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
T
RC
读 循环 时间 45 55 70 90 ns
T
CE
碎片 使能 进入 时间 45 55 70 90 ns
T
AA
地址 进入 时间 45 55 70 90 ns
T
OE
输出 使能 进入 时间 30 30 35 45 ns
T
CLZ
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
ce# 低 至 起作用的 输出 0 0 0 0 ns
T
OLZ
1
oe# 低 至 起作用的 输出 0 0 0 0 ns
T
CHZ
1
ce# 高 至 高-z 输出 15 15 25 30 ns
T
OHZ
1
oe# 高 至 高-z 输出 15 15 25 30 ns
T
OH
1
输出 支撑 从 地址 改变
0000ns
t9.2 395
表格 10: P
ROGRAM
/e
RASE
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
标识 参数 最小值 最大值 单位
T
BP
字节-程序 时间 20 µs
T
作
地址 建制 时间 0 ns
T
AH
地址 支撑 时间 30 ns
T
CS
we# 和 ce# 建制 时间 0 ns
T
CH
we# 和 ce# 支撑 时间 0 ns
T
OES
oe# 高 建制 时间 0 ns
T
OEH
oe# 高 支撑 时间 10 ns
T
CP
ce# 脉冲波 宽度 40 ns
T
WP
we# 脉冲波 宽度 40 ns
T
WPH
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
we# 脉冲波 宽度 高 30 ns
T
CPH
1
ce# 脉冲波 宽度 高 30 ns
T
DS
数据 建制 时间 40 ns
T
DH
1
数据 支撑 时间 0 ns
T
IDA
1
软件 id 进入 和 exit 时间 150 ns
T
SE
sector-擦掉 25 ms
T
SCE
碎片-擦掉 100 ms
t10.1 395
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