数据 薄板 e0729n10 (ver. 1.0)
9
µ
pd45128163-i-e
2. commands
模式 寄存器 设置 command
(/cs, /ras, /cas, /我们 = low)
这
µ
pd45128xxx 有 一个 模式 寄存器 那 定义 如何 这 设备
运作. 在 这个 command, a0通过 a11, ba0(a13) 和 ba1(a12)
是 这 数据 输入 管脚. 之后电源 在, 这 模式 寄存器 设置
command 必须 是 executed 至 initialize 这 设备.
这 模式 寄存器 能 是 设置 仅有的当 所有 banks 是 在 空闲 状态.
在 2 clk (t
RSC
) 下列的 这个 command, 这
µ
PD45128xxx
不能 接受 任何 其它 commands.
图.1 模式 寄存器 设置 command
/我们
/cas
/ras
/cs
CKE
CLK
H
增加
A10
ba0(a13), ba1(a12)
活动 command
(/cs, /ras = 低, /cas, /we = high)
这
µ
pd45128xxx 有 四 banks, 各自 和 4,096 rows.
这个 command activates 这 bank 选择 用 ba0(a13) 和
ba1(a12) 和 一个 行 地址 选择 用 a0 通过 a11.
这个 command corresponds 至 一个 常规的 dram’s /ras 下落.
图.2行 地址 strobe 和
bank 活动 command
/我们
/cas
/ras
/cs
CKE
CLK
H
增加
A10
ba0(a13), ba1(a12)
行
行
precharge command
(/cs, /ras, /我们 = 低, /cas = high)
这个 command begins precharge operation 的 这 bank 选择 用
ba0(a13) 和 ba1(a12). 当 a10 是 高, 所有 banks 是
precharged, regardless 的 ba0(a13)和 ba1(a12). 当 a10 是 低,
仅有的 这 bank 选择 用 ba0(一个13) 和 ba1(a12) 是 precharged.
之后 这个 command, 这
µ
pd45128xxx 能’t 接受 这 活动
command 至 这 precharging bank 在 t
RP
(precharge 至 活动
command 时期).
这个 command corresponds 至 一个 常规的 dram’s /ras rising.
图.3 precharge command
/我们
/cas
/ras
/cs
CKE
CLK
H
增加
A10
ba0(a13), ba1(a12)
(precharge 选择)