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elpida 记忆, 公司 2005
mos 整体的 电路
µ
pd45128163-i-e
128m-位 同步的 dram
4-bank, lvttl
wtr (宽 温度 范围)
数据 薄板
文档 非. e0729n10 (ver.1.0)
日期 发行 六月 2005 (k) 日本
打印 在 日本
url: http://www.elpida.com
elpida 记忆, 公司 是 一个 joint venture dram company 的 nec 公司 和 hitachi, 有限公司.
描述
这
µ
pd45128163 是 高-速 134,217,728-位同步的 动态 随机的-进入 记忆, 有组织的 作
2,097,152
×
16
×
4 (文字
×
位
×
bank).
这 同步的 dram 达到 高-速 数据转移 使用 这 pipeline architecture.
所有 输入 和 输出 是 同步和 这 积极的 边缘 的 这 时钟.
这 同步的 dram 是 兼容 和 低 电压 ttl (lvttl).
这个 产品 是 packaged 在 54-管脚 tsop (ii).
特性
•
全部地 同步的 动态 内存, 和 所有 信号 关联 至 一个 积极的 时钟 边缘
•
搏动 接口
•
可能 至 assert 随机的 column 地址 在 每 循环
•
四方形 内部的 banks 控制 用 ba0(a13) 和 ba1(a12)
•
字节 控制 用 ldqm 和 udqm
•
可编程序的 wrap sequence (sequential / interleave)
•
可编程序的 burst 长度(1, 2, 4, 8 和 全部 页)
•
可编程序的 /cas latency (2 和 3)
•
包围的 温度 (t
一个
):
−
40 至 + 85
°
C
•
自动 precharge 和 控制 precharge
•
cbr (自动) refresh 和 自 refresh
•
×
16 organization
•
单独的 3.3 v
±
0.3 v 电源 供应
•
lvttl 兼容 输入 和 输出
•
4,096 refresh 循环 / 64 ms
•
burst 末端 用 burst 停止 command 和 precharge command
•
tsop (ii) 包装 和 含铅的 自由 焊盘 (sn-bi)
rohs 一致的
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