2n5564/5565/5566
vishay siliconix
文档 号码: 70254
s-04031—rev. d, 04-六月-01
www.vishay.com
8-1
matched n-频道 jfet pairs
部分 号码 V
gs(止)
(v) V
(br)gss
最小值 (v) g
fs
最小值 (ms) I
G
典型值 (pa)
V
GS1
– v
GS2
最大值 (mv)
2N5564 –0.5 至 –3 –40 7.5 –3 5
2N5565 –0.5 至 –3 –40 7.5 –3 10
2N5566 –0.5 至 –3 –40 7.5 –3 20
二-碎片 设计
高 回转 比率
低 补偿/逐渐变化 电压
低 门 泄漏: 3 pa
低 噪音: 12
nV
⁄√
Hz
@ 10 hz
好的 cmrr: 76 db
最小 parasitics
tight 差别的 相一致 vs. 电流
改进 运算 放大 速, 安排好 时间
精度
最小 输入 错误/修整 必要条件
微不足道的 信号 丧失/错误 电压
高 系统 敏锐的
最小 错误 和 大 输入 信号
最大 高 频率 效能
wideband 差别的 放大器
高-速,
温度-补偿,
单独的-结束 输入 放大器
高-速 comparators
阻抗 转换器
matched switches
这 2n5564/5565/5566 是 matched pairs 的JFETs挂载
在 一个 至-71 包装. 这个 二-碎片 设计 减少 parasitics
为 好的 效能 在 高 频率 当 ensuring
极其 tight 相一致. 这个 序列 特性 高
损坏 电压 (v
(br)dss
典型地 > 55 v), 高 增益
(典型地 > 9 ms), 和 <5 mv 补偿 在 这 二 die.
这 hermetically-sealed 至-71 包装 是 有 和 全部
军队 处理 (看 军队 信息).
为 类似的 产品 看 这 低-噪音 u/sst401 序列, 和
这 低-泄漏 2n5196/5197/5198/5199 数据 薄板.
至-71
顶 视图
G
1
S
1
D
1
G
2
D
2
S
2
1
2
3
6
5
4
门-流, 门-源 电压 –40 v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
门-门 电压
80 v. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
门 电流 50 毫安. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
含铅的 温度 (
1
/
16
” 从 情况 为 10 秒.) 300
C. . . . . . . . . . . . . . . . . .
存储 温度 –65 至 200
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
运行 接合面 温度 –55 至 150
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
电源 消耗 : 每 一侧
一个
325 mw. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
总的
b
650 mw. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
注释
一个. 减额 2.6 mw/
c 在之上 25
C
b. 减额 5.2 mw/
c 在之上 25
C
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