2n5564/5565/5566
vishay siliconix
文档 号码: 70254
s-04031
—
rev. d, 04-六月-01
www.vishay.com
8-3
在-阻抗 和 流 电流
vs. 门-源 截止 电压
在-阻抗 vs. 流 电流
100
0
–
10
0
200
160
0
r
DS
I
DSS
r
DS
@ id = 1 毫安, v
GS
= 0
I
DSS
@ v
DS
= 15 v, v
GS
= 0
100
0
1 10 100
V
gs(止)
=
–
2 v
T
一个
= 25
C
V
gs(止)
–
门-源 截止 电压 (v) I
D
–
流 电流 (毫安)
80
60
40
20
80
60
40
20
–
2
–
4
–
6
–
8
120
80
40
转变-在 切换
5
0
–
10
4
3
2
1
0
t
r
切换 时间 (ns)
t
d(在)
@
I
D
= 3 毫安
t
d(在)
@
I
D
= 12 毫安
t
r
大概 独立 的 i
D
V
DG
= 5 v, r
G
= 50
V
gs(l)
=
–
10 v
V
gs(止)
–
门-源 截止 电压 (v)
–
2
–
4
–
6
–
8
转变-止 切换
30
010
24
18
12
6
0
V
gs(止)
=
–
2 v
t
d(止)
t
d(止)
独立 的 设备 v
gs(止)
V
DG
= 5 v, v
gs(l)
=
–
10 v
I
D
–
流 电流 (毫安)
24 68
切换 时间 (ns)
向前 跨导 和 输出 conductance
vs. 门-源 截止 电压
50
0
0
–
2
–
10
500
200
0
g
fs
–
向前 跨导 (ms)
g
fs
g
os
g
fs
和 g
os
@ v
DS
= 15 v
V
GS
= 0 v, f = 1 khz
V
gs(止)
–
门-源 截止 电压 (v)
40
30
20
10
–
4
–
6
–
8
400
200
100
160
120
在-阻抗 vs. 温度
200
–
55 25 125
0
–
15 85
I
D
= 1 毫安
r
DS
改变 0.7%/
C
V
gs(止)
=
–
2 v
T
一个
–
温度 (
c)
80
40
–
35 5 45 65 105
t
f
r
ds(在)
–
流-源 在-阻抗 ( )
r
ds(在)
–
流-源 在-阻抗 ( )
r
ds(在)
–
流-源 在-阻抗 ( )
–
饱和 流 电流 (毫安)
I
DSS
s)g
os
–
输出 conductance (
: 点此下载
