6.42
idt70v261s/l
高-速 16k x 16 双-端口 静态的 内存 和 中断 工业的 和 商业的 温度范围
8
W
注释:
1. r/
W
或者
CE
或者
UB
和
LB
必须 是 高 在 所有 地址 transitions.
2. 一个 写 occurs 在 这 overlap (t
EW
或者 t
WP
) 的 一个 低
CE
和 一个 低 r/
W
为 记忆 排列 writing 循环.
3. t
WR
是 量过的 从 这 早期 的
CE
或者 r/
W
(或者
SEM
或者 r/
W
) going 高 至 这 终止 的 写 循环.
4. 在 这个 时期, 这 i/o 管脚 是 在 这 输出 状态 和 输入 信号 必须 不 是 应用.
5. 如果 这
CE
或者
SEM
低 转变 occurs 同时发生地 和 或者 之后 这 r/
W
低 转变, 这 输出 仍然是 在 这 高-阻抗 状态.
6. 定时 取决于 在 这个 使能 信号 是 asserted last,
CE
或者 r/
W
.
7. 这个 参数 是 有保证的 用 设备 描绘, 但是 是 不 生产 测试. 转变 是 量过的 0mv 从 稳步的 状态 和 这 输出 测试 加载
(图示 2).
8. 如果
OE
是 低 在 r/
W
控制 写 循环, 这 写 脉冲波 宽度 必须 是 这 大 的 t
WP
或者 (t
WZ
+ t
DW
) 至 准许 这 i/o 驱动器 至 转变 止 和 数据 至 是 放置 在 这
总线 为 这 必需的 t
DW
. 如果
OE
是 高 在 一个 r/
W
控制 写 循环, 这个 必要条件 做 不 应用 和 这 写 脉冲波 能 是 作 短的 作 这 指定 t
WP
.
9. 至 进入 内存,
CE
= v
IL
和
SEM
= v
IH
. 至 进入 semaphore,
CE
= v
IH
和
SEM
= v
IL
. t
EW
必须 是 符合 为 也 情况.
CE
UB
LB
r/
W
t
WC
t
HZ
t
AW
t
WR
t
作
t
WP
数据
输出
(2)
t
WZ
t
DW
t
DH
t
OW
OE
地址
数据
在
(6)
(4) (4)
(7)
CE
或者
SEM
3040 drw 07
(9)
CE
或者
SEM
(9)
(7)
(3)
3040 drw 08
t
WC
t
作
t
WR
t
DW
t
DH
地址
数据
在
r/
W
t
AW
t
EW
UB
或者
LB
(3)
(2)
(6)
CE
或者
SEM
(9)
(9)
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