• n-频道 应用-明确的 mosfets
• 完美的 为 cpu 核心 直流-直流 转换器
• 低 传导 losses
• 低 切换 losses
• 降低 并行的 mosfets 为 高 电流
产品
•
100% r
G
测试
描述
这个 新 设备 雇用 先进的 hexfet 电源
场效应晶体管 技术 至 达到 一个 unprecedented
balance 的 在-阻抗 和 门 承担. 这 减少
传导 和 切换 losses 制造 它 完美的 为 高
效率 直流-直流 转换器 那 电源 这 最新的
一代 的 微处理器.
这 irlr8103v 有 被 优化 为 所有 参数
那 是 核心的 在 同步的 buck 转换器 包含
R
ds(在)
, 门 承担 和 cdv/dt-induced 转变-在 免除.
这 irlr8103v 提供 一个 极其 低 结合体 的
Q
sw
&放大; r
ds(在)
为 减少 losses 在 两个都 控制 和
同步的 场效应晶体管 产品.
这 包装 是 设计 为 vapor 阶段, infra-red,
convection, 或者 波 焊接 技巧. 电源
消耗 的 更好 比 2w 是 可能 在 一个 典型
pcb 挂载 应用.
设备 特性
10/22/04
d-pak
IRLR8103V
www.irf.com 1
S
D
G
IRLR8103V
R
ds(在)
7.9 m
Ω
Q
G
27 nc
Q
SW
12 nc
Q
OSS
29nC
绝对 最大 比率
标识 单位
V
DS
V
GS
持续的 流 或者 源 电流 tc = 25°c
(v
GS
> 10v)
tc= 90°c
I
DM
tc = 25°c
tc = 90°c
T
J
, t
STG
°C
I
S
I
SM
热的 阻抗
标识 典型值 最大值 单位
R
θ
JA
––– 50
R
θ
JC
––– 1.09
°c/w
一个
V
一个
I
D
P
D
W
IRLR8103V
91
363
30
±20
63
91
363
115
-55 至 150
60
电源 消耗
eÃÃÃÃÃÃÃÃÃÃÃÃÃ
参数
最大 接合面-至-包围的
eh
最大 接合面-至-情况
h
接合面 &放大; 存储 温度 范围
持续的 源 电流 (身体 二极管)
搏动 源 电流
参数
流-源 电压
门-源 电压
搏动 流 电流
pd-94021c
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