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资料编号:923808
 
资料名称:IRLR8103V
 
文件大小: 151K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Application-Specific MOSFETs
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
www.irf.com2
IRLR8103V
注释:
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度.
脉冲波 宽度
400 µs; 职责 循环
2%.
当 挂载 在 1 inch 正方形的 铜 板, t < 10 秒.
典型值 = 量过的 - q
oss
典型 值 的 r
DS
(在) 量过的 在 v
GS
= 4.5v, q
G
, q
SW
和 q
OSS
量过的 在 v
GS
= 5.0v, i
F
= 15a.

θ


电的 特性
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位
流-至-源 损坏 电压
BV
DSS
30 ––– ––– V
静态的 流-源
R
ds(在)
––– 6.9 9.0
在-阻抗 ––– 7.9 10.5
门 门槛 电压
V
gs(th)
1.0 ––– 3.0 V
流-至-源 泄漏 电流
I
DSS
––– ––– 50 µA
––– ––– 20
––– ––– 100
门-源 泄漏 电流
I
GSS
––– ––– ±100 nA
总的 门 承担, 控制 场效应晶体管
Q
G
––– 27 –––
总的 门 承担, synch 场效应晶体管
Q
G
––– 23 –––
前-vth 门-源 承担
Q
GS1
––– 4.7 –––
邮递-vth 门-源 承担
Q
GS2
––– 2.0 –––
门 至 流 承担
Q
GD
––– 9.7 –––
转变 承担 (q
gs2
+ q
gd
)q
SW
––– 12 –––
输出 承担
Q
OSS
––– 29 –––
门 阻抗
R
G
0.8 ––– 3.1
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
––– 10 –––
上升 时间
t
r
––– 9 –––
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
––– 24 –––
下降 时间
t
f
––– 18 –––
输入 电容
C
iss
––– 2672 –––
输出 电容
C
oss
––– 1064 –––
反转 转移 电容
C
rss
––– 109 –––
源-流 比率 &放大; 特性
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位
二极管 向前 电压
V
SD
––– 0.9 1.3 V
反转 恢复 承担
f
Q
rr
––– 103 ––– nC
反转 恢复 承担
Q
rr(s)
––– 96 ––– nC
(和 并行的 肖特基)
f
V
GS
= 5v, i
D
= 15a, v
DS
= 16v
V
DS
= 24v, v
GS
= 0
V
DD
= 16v
V
DS
= 24v, v
GS
= 0, t
J
= 100°c
情况
V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
V
GS
= 10v, i
D
= 15a
d
情况
di/dt = 700a/µs , (和 10bq040)
V
DS
= 16v, v
GS
= 0v, i
F
= 15a
di/dt ~ 700a/µs
V
DS
= 16v, v
GS
= 0v, i
F
= 15a
是 = 15a
d
, v
GS
= 0v
V
GS
= 4.5v, i
D
= 15a
d
nC
m
µA
V
DS
= 16v, v
GS
= 0
V
DS
= 16v, i
D
= 15a
V
GS
= 5v, v
DS
< 100mv
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
V
DS
= 30v, v
GS
= 0v
V
GS
= ± 20v
ns
pF
V
GS
= 16v, v
GS
=0
I
D
= 15a
V
GS
= 5.0v
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