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资料编号:924088
 
资料名称:ISL6605CB-T
 
文件大小: 302K
   
说明
 
介绍:
Synchronous Rectified MOSFET Driver
 
 


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4
fn9091.5
january 4, 2005
绝对 最大 比率 推荐 运行 情况
供应 电压 (vcc) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3v 至 7v
输入 电压 (v
EN
, v
PWM
) . . . . . . . . . . . . . . . -0.3v 至 vcc + 0.3v
激励 电压 (v
激励
) . . . . . . . -0.3v 至 22v (直流) 或者 33v (<200ns)
激励 至 阶段 电压 (v
激励-阶段
) . . . . . . . . . . . -0.3v 至 7v
阶段 电压. . . . . . . . . . . . . . 地 - 0.3v (直流) 至 28v (<200ns)
. . . . . . . . . . 地 - 5v (<100ns 脉冲波 宽度, 10
µ
j) 至 28v (<200ns)
ugate 电压 . . . . . . . . . . . V
阶段
- 0.3v (直流) 至V
激励
+0.3v
. . . . . . . V
阶段
- 4v (<200ns 脉冲波 宽度, 20
µ
j) 至 v
激励
+0.3v
lgate 电压. . . . . . . . . . . . . . . 地 - 0.3v (直流) 至 v
VCC
+ 0.3v
. . . . . . . . . . . 地 - 2v (<100ns 脉冲波 宽度, 4
µ
j) 至 v
VCC
+ 0.3v
包围的 温度 范围 . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-40°c 至 125°c
静电释放 比率
hbm 类 1 电子元件工业联合会 标准
包围的 温度 范围. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40°c 至 85°c
最大 运行 接合面 温度 . . . . . . . . . . . . . . 125°C
供应 电压, vcc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5v
±
10%
热的 信息
热的 阻抗 (注释 1, 2, &放大; 3)
θ
JA
(°c/w)
θ
JC
(°c/w)
soic 包装 (便条 1) . . . . . . . . . . . . 110 n/一个
qfn 包装 (注释 2, 3) . . . . . . . . . . 95 36
最大 接合面 温度. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C
最大 存储 温度 范围. . . . . . . . . . . -65°c 至 150°c
最大 含铅的 温度 (焊接 10s) . . . . . . . . . . . . . 300°C
(soic - 含铅的 tips 仅有的)
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 only 比率 和 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
便条:
1.
θ
JA
是 量过的 和 这 组件 挂载 在 一个 高 有效的 thermal conductivity 测试 板 在 自由 空气. 看 tech brief tb379 f或者 详细信息.
2.
θ
JA
是 量过的 在 自由 空气 和这 组件 挂载 在 一个 高 有效的 热的 conductivity 测试 板 和 “direct attach” features.
3.
θ
JC
, "情况 温度" location 是 在 这 中心 的 这 包装 underside exposed 垫子. 看 tech brief tb379 为 详细信息.
电的 规格
这些 规格 应用 为 t
一个
= -40
°
c 至 85°c, 除非 否则 指出
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
vcc 供应 电流
偏差 供应 电流 I
VCC
en = 低, t
一个
= 0°c 至 70°c - - 1.5
µ
一个
en = 低, t
一个
= -40°c 至 85°c - - 2
µ
一个
偏差 供应 电流 I
VCC
pwm 管脚 floating, v
VCC
= 5v - 30 -
µ
一个
pwm 输入
输入 电流 I
PWM
V
PWM
= 5v - 250 -
µ
一个
V
PWM
= 0v - -250 -
µ
一个
pwm 三-状态 rising 门槛 V
VCC
= 5v, t
一个
= 0°c 至 70°c - - 1.70 V
V
VCC
= 5v, t
一个
= -40°c 至 85°c - - 1.75 V
pwm 三-状态 下落 门槛 V
VCC
= 5v 3.3 - - V
三-状态 关闭 holdoff 时间 V
VCC
= 5v, 温度 = 25°c - 420 - ns
en 输入
en 低 门槛 1.0 - - V
en 高 门槛 --2.0v
切换 时间
ugate 上升 时间 t
RUGATE
V
VCC
= 5v, 3nf 加载 - 8 - ns
lgate 上升 时间 t
RLGATE
V
VCC
= 5v, 3nf 加载 - 8 - ns
ugate 下降 时间 t
FUGATE
V
VCC
= 5v, 3nf 加载 - 8 - ns
lgate 下降 时间 t
FLGATE
V
VCC
= 5v, 3nf 加载 - 4 - ns
ugate 转变-止 传播 延迟 t
PDLUGATE
V
VCC
= 5v, 3nf 加载 - 8 - ns
lgate 转变-止 传播 延迟 t
PDLLGATE
V
VCC
= 5v, 3nf 加载 - 8 - ns
输出
upper 驱动 源 阻抗 R
UGATE
500ma 源 电流 - 1.0 2.5
upper 驱动器 源 电流 (便条 4) I
UGATE
V
ugate-阶段
= 2.5v - 2.0 - 一个
upper 驱动 下沉 阻抗 R
UGATE
500ma 下沉 电流 - 1.0 2.5
upper 驱动器 下沉 电流 (便条 4) I
UGATE
V
ugate-阶段
= 2.5v - 2.0 - 一个
更小的 驱动 源 阻抗 R
LGATE
500ma 源 电流 - 1.0 2.5
更小的 驱动器 源 电流 (便条 4) I
LGATE
V
LGATE
= 2.5v - 2.0 - 一个
更小的 驱动 下沉 阻抗 R
LGATE
500ma 下沉 电流 - 0.4 1.0
更小的 驱动器 下沉 电流 (便条 4) I
LGATE
V
LGATE
= 2.5v - 4.0 - 一个
便条:
4. 有保证的 用 设计. 不 100% 测试 在 生产.
ISL6605
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