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fn9091.5
january 4, 2005
应用 信息
故障 模式 在 repetitive startups
在 一个 低 vcc (<2v), 这 thevenin 相等的 的 这 20k
分隔物 在 这 pwm 管脚, 作 显示 在 这 块 图解 在
页 2, 是 非 变长 真实; 非常 高 阻抗 将 是 seen
从 这 pwm 管脚 至 地. 接合面 泄漏 电流 从
这 vcc 至 这 电阻 tub 将 tend 至 拉 向上 这 pwm 输入
和 falsely 触发 这 ugate. 如果 这 活力 贮存 在 这
自举 电容 是 不 完全地 释放 在 这
previous 电源-向下 时期,然后 这 upper 场效应晶体管 可以
是 转变 在 和 发生 一个 尖刺 在 这 输出 当 vcc
ramps 向上. 一个 499k
Ω
电阻 在 这 pwm 至 地, 作 显示 在
图示 3, helps bleed 这 泄漏 电流, 因此 eliminating
这 startup 尖刺.
布局 仔细考虑 和 场效应晶体管 选择
这 parasitic inductances 的这 pcb 和 这 电源 设备
(两个都 upper 和 更小的 fets) generate 一个 负的 ringing 在
这 trailing 边缘 的 这 阶段 node. 这个 负的 ringing
加 这 vcc adds charges 至 这 自举 电容
通过 这 内部的 自举 肖特基 二极管 当 这
阶段 node 是 低. 如果 这 负的 尖刺 是 too 大,
特别 在 高 电流 产品 和 一个 poor 布局, 这
电压 在 这 自举 电容 可以 超过 这 vcc
和 这 设备的 最大 比率. 这 v
激励-阶段
电压 应当 是 审查 在 这 worst 情况 (最大 vcc
和 较早的 至 overcurrent trip 要点), 特别 为 产品
和 高等级的 比 20a 每 d
2
pak 场效应晶体管. mosfets 和 低
parasitic 含铅的 inductances, 此类 作 multi-源 leads
设备 (所以-8 和 lfpak), 是 推荐.
细致的 布局 将 帮助 减少 这 负的 ringing 顶峰
significantly:
- 系 这 源 的 这 upper 场效应晶体管 和 这 流 的
这 更小的 场效应晶体管 作 关闭 作 可能;
- 使用 这 shortest 低-阻抗 查出 在 这
源 的 这 更小的 场效应晶体管 和 这 电源 地面;
- 系 这 地 的 这 isl6605 closely 至 这 源 的
这 更小的 场效应晶体管.
一个 电阻 placement 的 r
激励
, 作 显示 在 图示 5, 在 这
早期 设计 是 推荐; 它 helps eliminate 这
overcharge 的 这 激励 capacitor, 在 条款 的 电压 压力
横过 这 激励 至 阶段.当 需要ed, 1 至 2 ohm
R
激励
是 sufficient 和 有 little impact 在 这 整体的
效率. 不管怎样, 一个 设计 和 好的 布局 和 使用
mosfets 和 低 parasitic 含铅的 inductances, 此类 作
multi-源 leads 设备 (所以-8 和 lfpak), 是
一般地 不 必需的 此类 一个 电阻.
当 放置 这 qfn 部分 在 这 板, 非 vias 或者 查出
应当 是 运动 在 在 管脚 号码 1 和 8 自从 一个
小 片 的 铜 是 underneath 这 corner 为 这
方向. 在 增加, 连接 这 热的 垫子 的 这
qfn 部分 至 这 电源 地面 和 一个 通过, 或者 放置 一个 低
噪音 铜 平面 underneath 这 soic 部分 是 strongly
推荐 为 高 切换 频率, 高 电流
产品. 这个 是 为 热温 spreading 和 准许 这 部分
至 达到 它的 全部 热的 潜在的.
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频率 (khz)
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Q
U
=50nC
Q
L
=50nC
Q
U
=50nC
Q
L
=100nC
Q
U
=100nC
Q
L
=200nC
Q
U
=20nC
Q
L
=50nC
电源 (m
Ω
)
图示 2. 电源 消耗 vs. 频率
PWM
ISL6605
499K
地
图示 3. 499k
Ω
电阻
阶段
负的 尖刺
图示 4. 典型 阶段 node 电压 波形
ISL6605
激励
阶段
C
激励
R
激励
图示 5. 电阻 placement 为 这 r
激励
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