ISL84684IUZ-T_集成电路资料查询网

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图示 15. 数字的 切换 要点 vs supply 电压 图示 16. 频率 回馈
图示 17. 串扰 和 止 分开
消逝 特性
基质 潜在的 (powered 向上):
地
晶体管 计数:
114
处理:
submicron cmos
典型 效能 曲线
T
一个
= 25°c, 除非 否则 指定
(持续)
v+ (v)
V
INH
和 v
INL
(v)
11.522.533.544.5
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
V
INH
V
INL
频率 (mhz)
0
-3
-6
normalized 增益 (db)
增益
阶段
v+ = 3v
0
20
40
60
80
100
阶段 (degrees)
1 10 100 600
V
在
= 0.2v
p-p
至 2v
p-p
R
L
= 50
Ω
频率 (hz)
1k 100k 1M 100M 500M10k 10M
-110
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
串扰 (db)
止 分开 (db)
110
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
分开
串扰
v+ = 3v
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9 图示 15. 数字的切换要点 vs supply 电压图示 16. 频率回馈图示 17. 串扰和止分开消逝特性基质潜在的 (powered 向上): 地晶体管计数: 114 处理: submicron cmos 典型效能曲线 T 一个 = 25°c, 除非否则指定 (持续) v+ (v) V INH 和 v INL (v) 11.522.533.544.5 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 V INH V INL 频率 (mhz) 0 -3 -6 normalized 增益 (db) 增益阶段 v+ = 3v 0 20 40 60 80 100 阶段 (degrees) 1 10 100 600 V 在 = 0.2v p-p 至 2v p-p R L = 50 Ω 频率 (hz) 1k 100k 1M 100M 500M10k 10M -110 -10 -20 -30 -40 -50 -60 -70 -80 -90 -100 串扰 (db) 止分开 (db) 110 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 分开串扰 v+ = 3v ISL84684

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