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资料编号:924838
 
资料名称:IRF7317
 
文件大小: 156K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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IRF7317
图 3.
典型 转移 特性
图 2.
典型 输出 特性
图 1.
典型 输出 特性
图 4.
典型 源-流 二极管
向前 电压
n-频道
1
10
100
0.1 1 10
20µs 脉冲波 宽度
t = 25 C
J
°
BOTTOM
VGS
7.50v
4.50v
4.00v
3.50v
3.00v
2.70v
2.00v
1.50v
v , 流-至-源 电压 (v)
i , 流-至-源 电流 (一个)
DS
D
1.50v
1
10
100
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
v ,源-至-流 电压 (v)
i , 反转 流 电流 (一个)
SD
SD
v = 0 v
GS
t = 25 c
J
°
t = 150 c
J
°
1
10
100
0.1 1 10
20µs 脉冲波 宽度
t = 150 C
J
°
BOTTOM
VGS
7.50v
4.50v
4.00v
3.50v
3.00v
2.70v
2.00v
1.50v
v , 流-至-源 电压 (v)
i , 流-至-源 电流 (一个)
DS
D
1.50v
1
10
100
1.5 2.0 2.5 3.0
v = 10v
20µs 脉冲波 宽度
DS
v , 门-至-源 电压 (v)
i , 流-至-源 电流 (一个)
GS
D
t = 25 c
J
°
t = 150 c
J
°
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