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资料编号:924838
 
资料名称:IRF7317
 
文件大小: 156K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7317
图 16.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
图 19.
最大 avalanche 活力
vs. 流 电流
图 17.
典型 在-阻抗 vs. 流
电流
图 18.
典型 在-阻抗 vs. 门
电压
p-频道
R
ds(在
)
, 流-至-源 在 阻抗 (
)
R
ds(在)
, 流-至-源 在 阻抗 (
)
-i
D
, 流 电流 (一个)
25 50 75 100 125 150
0
100
200
300
400
开始 t , 接合面 温度 ( c)
e , 单独的 脉冲波 avalanche 活力 (mj)
J
°
I
D
BOTTOM
-1.3a
-2.3a
-2.9a
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
J
t , 接合面 temperature (°c)
R, drain-至-source on resistance
ds(在)
(norm 一个lized)
一个
i =-2.9一个
V= -4.5v
D
GS
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
048121620
一个
-i , 流 电流 (一个)
D
v = -4.5v
GS
v = -2.7v
GS
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.0 2.0 4.0 6.0 8.0
一个
GS
V, gate-至-source voltage (v)
i = -5.3a
D
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