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资料编号:926579
 
资料名称:SI4505DY
 
文件大小: 65K
   
说明
 
介绍:
N- and P-Channel MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4505DY
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71826
s-20829
rev. 一个, 17-六月-02
www.vishay.com
3
典型 特性 (25
c 除非 指出) N−CHANNEL
在-阻抗 (
0
8
16
24
32
40
012345
0
8
16
24
32
40
0246810
0
1
2
3
4
5
6
0 3 6 9 12 15
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
50
25 0 25 50 75 100 125 150
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0 6 12 18 24 30
0
400
800
1200
1600
2000
0 6 12 18 24 30
输出 特性 转移 特性
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
V
DS
流-至-源 电压 (v)
流 电流 (一个)I
D
V
GS
= 10 thru 5 v
V
GS
门-至-源 电压 (v)
流 电流 (一个)I
D
25
C
T
C
=
55
C
门-至-源 电压 (v)
Q
g
总的 门 承担 (nc)
V
DS
流-至-源 电压 (v)
C
电容 (pf)
V
GS
C
rss
C
oss
C
iss
r
ds(在)
)
I
D
流 电流 (一个)
电容
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
T
J
接合面 温度 (
c)
(normalized)
在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
GS
= 10 v
V
GS
= 4.5 v
4 v
3 v
125
C
V
DS
= 15 v
I
D
= 7.8 一个
V
GS
= 10 v
I
D
= 7.8 一个
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