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资料编号:926579
 
资料名称:SI4505DY
 
文件大小: 65K
   
说明
 
介绍:
N- and P-Channel MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4505DY
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71826
s-20829
rev. 一个, 17-六月-02
www.vishay.com
7
典型 特性 (25
c 除非 指出) P−CHANNEL
V
GS
门-至-源 电压 (v)
0.01
0
1
80
100
40
60
100.1
电源 (w)
单独的 脉冲波 电源, 接合面-至-包围的
时间 (秒)
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
50
25 0 25 50 75 100 125 150
I
D
= 250
一个
1.0 1.2
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
012345
1
10
20
I
D
= 5 一个
0.00 0.2 0.4 0.6 0.8
T
J
= 25
C
T
J
= 150
C
门槛 电压
variance (v)V
gs(th)
T
J
温度 (
c)
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
源-至-流 电压 (v)
源 电流 (一个)I
S
V
DS
流-至-源 电压 (v)
100
0.1
0.1 1 10
限制
用 r
ds(在)
0.01
1
T
一个
= 25
C
单独的 脉冲波
1 s
10 s
直流
流 电流 (一个)I
D
10 ms
safe 运行 范围
1 ms
20
0.001 0.01
10
100 ms
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