14.3 8
IDT71216
bicmos 16k x 15 cache-tag 内存 商业的 温度 范围
交流 电的 特性
(1)
(v
CC
= 5.0v
±
5%, v
CCQ
= 5.0v
±
5%
或者
3.3v
±
0.3v, t
一个
= 0 至 70
°
c)
IDT71216S8 IDT71216S9 IDT71216S10 IDT71216S12
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
写 循环 和 时钟 参数
t
CYC
时钟 循环 时间 15 — 15 — 15 — 16.6 — ns
t
CH
(2, 3)
时钟 脉冲波 高 4.5 — 4.5 — 4.5 — 5 — ns
t
CL
(2, 3)
时钟 脉冲波 低 4.5 — 4.5 — 4.5 — 5 — ns
t
S
WET
,
WES
, 碎片 选择, 和 输入 数据 设置-向上 时间 3 — 3 — 3 — 3 — ns
t
H
WET
,
WES
, 碎片 选择, 和 输入 数据 支撑 时间 1 — 1 — 1 — 1 — ns
t
SA
地址 设置-向上 时间 3 — 3 — 3 — 3 — ns
t
HA
地址 支撑 时间 1 — 1 — 1 — 1 — ns
t
WMI
clk 高 写 至 相一致 和
TA
Invalid — 6 — 7 — 7 — 8 ns
t
CKLZ
(
3)
clk 高 读 至 输出 在 低-z 1.5 — 1.5 — 1.5 — 1.5 — ns
t
CTV
(4)
clk 高 读 至 tag 位 有效的 — 9 — 10 — 10 — 12 ns
t
CSV
(4)
clk 高 写 至 状态 输出 有效的 — 8 — 9 — 9 — 10 ns
t
CSH
(3)
状态 输出 支撑 从 clk 高 写 0 — 0 — 0 — 0 — ns
t
WHPL
WET
和
WES
高 至
PWRDN
低 5 — 5 — 5 — 5 — ns
t
PUWL
PWRDN
高 至
WET
和
WES
起作用的 50 — 50 — 50 — 50 — ns
注释:
3067 tbl 14
1. 所有 写 循环 是 同步的 和 关联 从 rising clk.
2. 这个 参数 是 量过的 作 一个 高 时间 在之上 2.0v 和 一个 低 时间 在下 0.8v.
3. 这个 参数 是 有保证的 和 这 交流 加载 (图示 3) 用 设备 描绘, 但是 是 不 生产 测试.
4. 地址 是 稳固的 较早的 至 clk 转变 高.
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