14.3 9
IDT71216
bicmos 16k x 15 cache-tag 内存 商业的 温度 范围
交流 电的 特性
(v
CC
= 5.0v
±
5%, v
CCQ
= 5.0v
±
5%
或者
3.3v
±
0.3v, t
一个
= 0 至 70
°
c)
idt71216s8 idt71216s9 IDT71216S10 IDT71216S12
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
相一致 和
TA
TA
循环
t
ADM
地址 至 相一致 有效的 — 8 — 9 — 10 — 12 ns
t
DAM
数据 输入 至 相一致 有效的 — 8 — 9 — 10 — 12 ns
t
CSM
碎片 选择 至 相一致 有效的 — 8 — 9 — 10 — 12 ns
t
CMLZ
(1)
碎片 选择 至 相一致 在 低-z 1 — 1 — 1 — 1 — ns
t
CMHZ
(1)
碎片 选择 至 相一致 在 高-z 1 5 1 6 1 6 1 7 ns
t
MHA
相一致 有效的 支撑 从 地址 2 — 2 — 2 — 2 — ns
t
MHD
相一致 有效的 支撑 从 数据 2 — 2 — 2 — 2 — ns
t
BHA
TA
有效的 支撑 从 地址 2 — 2 — 2 — 2 — ns
t
BHD
TA
有效的 支撑 从 数据 2 — 2 — 2 — 2 — ns
t
ADB
地址 至
TA
有效的 — 9 — 10 — 11 — 13 ns
t
DAB
数据 输入 至
TA
有效的 — 9 — 10 — 11 — 13 ns
t
CSB
碎片 选择 低 至
TA
有效的 — 9 — 10 — 11 — 13 ns
t
OEBV
TAOE
低 至
TA
有效的 — 6 — 6 — 7 — 8 ns
t
OBLZ
(1)
TAOE
低 至
TA
在 低-z 0 — 0 — 0 — 0 — ns
t
OBHZ
(1)
TAOE
高 至
TA
在 高-z 1 5 1 6 1 6 1 7 ns
t
BYFH
tah 高 至 强迫
TA
高 — 5 — 5 — 5 — 6 ns
t
BYHV
tah 低 至
TA
有效的 — 5 — 5 — 5 — 6 ns
t
SB
TAIN
设置-向上 时间 4 — 4 — 4 — 4 — ns
t
HB
TAIN
支撑 时间 1.5 — 1.5 — 1.5 — 1.5 — ns
t
BIBL
clk 高
TAIN
低 至
TA
低 — 6 — 6 — 7 — 8 ns
t
BIBV
clk 高
TAIN
高 至
TA
有效的 — 6 — 6 — 7 — 8 ns
t
OEMI
OET
低 至 相一致 和
TA
Invalid — 6 — 7 — 7 — 8 ns
t
OEMV
OET
高 至 相一致 和
TA
有效的 — 7 — 8 — 8 — 10 ns
t
WRBH
(
2)
w/
R
高 至
TA
高 — 6 — 7 — 7 — 8 ns
t
WRBV
(2)
w/
R
低 至
TA
有效的 — 6 — 7 — 7 — 8 ns
t
WMI
clk 高 写 至 相一致 和
TA
Invalid — 7 — 7 — 7 — 8 ns
t
WMV
(3)
clk 高 读 至 相一致 和
TA
有效的 — 8 — 9 — 10 — 12 ns
注释:
3067 tbl 15
1. 这个 参数 是 有保证的 和 这 交流 加载 (图示 3) 用 设备 描绘, 但是 是 不 生产 测试.
2. 这些 参数 仅有的 应用 当 sfunc 是 低 和 这 内部的 wt 位 是 高.
3. t
ADM
, t
DAM
, t
CSM
和 t
ADB
, t
DAB
, t
CSB
必须 也 是 satisfied.
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