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资料编号:93578
 
资料名称:IDT6116SA120TDB
 
文件大小: 91.2K
   
说明
 
介绍:
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
5.1 2
idt6116sa/la
cmos 静态的 内存 16k (2k x 8-位) 军队 和 商业的 温度 范围
管脚 配置
绝对 最大 比率
(1)
标识 比率 商业的 军队 单位
终端 电压
V
(2)
和 遵守 至 地 –0.5 至 + 7.0 –0.5 至 +7.0 V
运行
T
一个
温度 0 至 + 70 –55 至 +125
°
C
温度
T
偏差
下面 偏差 –55 至 + 125 –65 至 +135
°
C
存储
T
STG
温度 –55 至 + 125 –65 至 +150
°
C
电源
P
T
消耗 1.0 1.0 W
I
输出
直流 输出 电流 50 50 毫安
注释:
3089 tbl 04
1. 压力 更好 比 那些 列表 下面 绝对 最大 rat-
ings 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率
仅有的 和 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况
在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不
暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为 扩展
时期 将 影响 可靠性.
2. V
必须 不 超过 v
CC
+0.5v.
真实 表格
(1)
模式
CS
CS
OE
OE
我们
我们
i/o
备用物品 H X X 高-z
L L H 数据
输出
L H H 高-z
L X L 数据
便条:
3089 tbl 02
1. h = v
IH
, l = v
IL
, x = don't 小心.
管脚 描述
一个
0
–A
13
地址 输入
i/o
0
–i/o
7
数据 输入/输出
CS
碎片 选择
我们
写 使能
OE
输出 使能
V
CC
电源
地面
3089 tbl 01
电容
(t
一个
= +25
°
c, f = 1.0 mh
Z
)
标识 参数
(1)
情况 最大值 单位
C
输入 电容 V
= 0v 8 pF
C
i/o
i/o 电容 V
输出
= 0v 8 pF
便条:
3089 tbl 03
1. 这个 参数 是 决定 用 设备 描绘, 但是 是 不
生产 测试.
插件/soic/soj
顶 视图
3089 drw 02
5
6
7
8
9
10
11
12
1
2
3
4
24
23
22
21
20
19
18
17
p24-2
p24-1
d24-2
d24-1
so24-2
&放大;
s024-4
一个
5
一个
4
一个
3
一个
2
一个
1
一个
0
i/o
0
i/o
1
V
CC
一个
9
我们
一个
10
i/o
5
i/o
4
OE
16
15
14
13
一个
7
一个
6
i/o
7
i/o
6
CS
一个
8
i/o
2
i/o
3
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