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数据 薄板
1 megabit 串行 flash
SST45LF010
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71128-03-000 4/01 372
表格 6: C
APACITANCE
(ta = 25
°
c, f=1 mhz, 其它 管脚 打开)
参数 描述 测试 情况 最大
C
输出
1
输出 管脚 电容 V
输出
= 0v 12 pf
C
在
1
输入 电容 V
在
= 0v 6 pf
t6.1 372
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
表格 7: R
ELIABILITY
C
HARACTERISTICS
标识 参数 最小 规格 单位 测试 方法
N
终止
1
1. 这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 一个 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 parameter.
忍耐力 10,000 循环 电子元件工业联合会 标准 a117
T
DR
1
数据 保持 100 年 电子元件工业联合会 标准 a103
I
LTH
1
获得 向上 100 + i
DD
毫安 电子元件工业联合会 标准 78
t7.1 372
表格 8: 交流 o
PERATING
C
HARACTERISTICS
, v
DD
= 3.0-3.6v
标识 参数
限制
最小值 最大值 单位
F
CLK
串行 时钟 频率 10 MHz
T
SCKH
串行 时钟 高 时间 45 ns
T
SCKL
串行 时钟 低 时间 45 ns
T
CES
ce# 建制 时间 250 ns
T
CEH
ce# 支撑 时间 250 ns
T
CPH
ce# 高 时间 250 ns
T
CHZ
ce# 高 至 高-z 输出 25 ns
T
CLZ
sck 低 至 低-z 输出 0 ns
T
RLZ
rst# 低 至 高-z 输出 25 ns
T
DS
数据 在 建制 时间 20 ns
T
DH
数据 在 支撑 时间 20 ns
T
OH
输出 支撑 从 sck 改变 0 ns
T
V
输出 有效的 从 sck 35 ns
T
WPS
写 保护 建制 时间 10 ns
T
WPH
写 保护 支撑 时间 10 ns
T
SE
sector-擦掉 25 ms
T
SCE
碎片-擦掉 100 ms
T
BP
字节-程序 20 µs
T
RST
重置 脉冲波 宽度 10 µs
T
REC
重置 恢复 时间 1 µs
T
PURST
重置 时间 之后 电源-向上 10 µs
t8.2 372
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