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资料编号:952999
 
资料名称:2SB1691WL
 
文件大小: 77K
   
说明
 
介绍:
Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
 
 


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2SB1691
rev.2.00, dec.09.2004, 页 2 的 4
电的 特性
(ta = 25°c)
item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基 损坏 电压 V
(br)cbo
–60
v i
C
= –10
µ
一个, i
E
= 0
集电级 至 发射级 损坏 电压 V
(br)ceo
–50
v i
C
= –1 毫安, r
=
发射级 至 根基 损坏 电压 V
(br)ebo
–6
v i
E
= –10
µ
一个, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
–100 na v
CB
= –50 v, i
E
= 0
发射级 截止 电流 I
EBO
–100 na v
EB
= –5 v, i
C
= 0
直流 电流 转移 比率 h
FE
200
500
V
CE
= –2 v, i
C
= –0.1 一个
集电级 至 发射级饱和 电压 V
ce(sat)
–0.2 –0.3 V
I
C
= –0.5 一个, i
B
= –0.05 一个,
脉冲波 测试
根基 至 发射级 饱和 电压 V
是(sat)
–0.95 –1.2 V
I
C
= –0.5 一个, i
B
= –0.05 一个,
脉冲波 测试
增益 带宽 产品 f
T
310
mhz v
CE
= –2 v, i
C
= –0.1 一个
集电级 输出 电容 Cob
9.8
pF
V
CB
= –10 v, i
E
= 0,
f = 1 mhz
主要的 特性
0 50 100 150 200
集电级 电源 消耗 pc (mw)
最大 集电级 消耗 曲线
–0.6
–10
–100
–1
0 –0.8
根基 至 发射级 电压 v
(v)
集电级 电流 i
C
(毫安)
典型 转移 特性
–0.2 –0.4 –1.0
0 –1.2–0.8
集电级 电流 i
C
(毫安)
0–2–4–6
集电级 电流 i
C
(毫安)
典型 输出 特性 (1)
包围的 温度 t
一个
(
°
c)
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(v)
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(v)
–0.4 –1.6
–8
1200
1000
800
400
200
–10
–100
–200
脉冲波
典型 输出 特性 (2)
脉冲波
–1000
V
CE
= –2 v
脉冲波
–250
µ
一个
–200
µ
一个
–150
µ
一个
–100
µ
一个
–300
µ
一个
I
B
= –50
µ
一个
–350
µ
一个
–2.0
I
B
= –1 毫安
–2 毫安
–3 毫安
–4 毫安
–5 毫安
–6 毫安
–7 毫安
–100
–200
–300
–400
–500
当 使用 alumina 陶瓷的 板
s = 25 mm x 60 mm, t = 0.7 mm
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