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资料编号:952999
 
资料名称:2SB1691WL
 
文件大小: 77K
   
说明
 
介绍:
Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
 
 


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rev.2.00, dec.09.2004, 页 1 的 4
2SB1691
硅 pnp 外延的 planer
低 频率 电源 放大器
rej03g0482-0200
(previous ade-208-1387a (z))
rev.2.00
dec.09.2004
特性
小 大小 包装: mpak (sc–59a)
大 最大 电流: i
C
= –1 一个
低 集电级 至 发射级 饱和 电压: v
ce(sat)
= –0.3 v 最大值.(在 i
C
/i
B
= –0.5 一个/–0.05 一个)
C
= 800 mw (当 使用 alumina 陶瓷的 板 (25 x 60 x 0.7 mm))
外形
1
2
3
1. 发射级
2. 根基
3. collecto
r
MPAK
便条: 标记 是 “wl-“.
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
item 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
60 v
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
50 v
发射级 至 根基 电压 V
EBO
–6 V
集电级 电流 I
C
–1 一个
集电级 顶峰 电流 ic(顶峰) –2 一个
集电级 电源 消耗 P
C
800* mw
接合面 温度 Tj 150
°
C
存储 温度 Tstg
55 至 +150
°
C
便条: *when 使用 alumina 陶瓷的 板 (25 x 60 x 0.7 mm)
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