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npn 硅 rf 晶体管
2SC5507
npn 硅 rf 晶体管 为 低 电流,
低 噪音, 高-增益 放大器
flat-含铅的 4-管脚 薄的 超级的 迷你-模型
文档 非. p13864ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行 march 1999 n cp(k)
打印 在 日本
初步的 数据 薄板
1999©
特性
• 低 噪音 和 高 增益 和 低 集电级 电流
• nf = 1.2 db, g
一个
= 16 db 典型值 @f = 2 ghz, v
CE
= 2 v, i
C
= 2 毫安
• 最大 稳固的 电源 增益: msg = 22 db 典型值 @f = 2 ghz, v
CE
= 2 v, i
C
= 5 毫安
•f
T
= 25 ghz 技术
• flat-含铅的 4-管脚 薄的 超级的 迷你-模型 (t = 0.59 mm)
订货 信息
部分 号码 Quantity 包装 样式
2SC5507 loose 产品 (50 pcs)
2sc5507-t2 taping 产品 (3 kpcs/卷轴)
• 8 mm 宽 压印浮凸 taping
• 1 管脚 (发射级), 2 管脚 (集电级) 喂养 孔 方向
Remark
至 顺序 evaluation 样本, 咨询 your nec 销售 代表 (有 在 50-pcs 单位).
绝对 最大 比率
参数 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
15 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
3.3 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
1.5 V
集电级 电流 I
C
12 毫安
总的 电源 消耗
P
tot
便条
39 mW
接合面 温度 T
j
150 °C
存储 温度 T
stg
–65 至 +150 °C
便条
T
一个
= +25 °c (自由 空气)
热的 阻抗
Item 标识 值 单位
接合面 至 情况 阻抗 R
th j-c
240 °c/w
接合面 至 包围的 阻抗 R
th j-一个
650 °c/w
因为 这个 产品 使用 高-频率 技术, 避免 过度的 静态的 electricity, 等
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