初步的 数据 薄板 p13864ej1v0ds00
3
2SC5507
典型 特性 (t
一个
= +25 °c)
热的/直流 特性
集电级 电流 vs. 集电级 至 发射级 电压
直流 电流 增益 vs. 集电级 电流
0.001
200
100
10
25
20
15
10
5
012345
1
0.01 0.1 1 10 100
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(v)
集电级 电流 i
C
(毫安)
集电级 电流 i
C
(毫安)
直流 电流 增益 h
FE
总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度, 情况 温度
集电级 电流 vs. 直流 根基 电压
50
40
30
20
10
250
200
150
100
50
0
包围的 温度 t
一个
(
°
c), 情况 温度 t
C
(
°
c)
直流 根基 电压 v
是
(v)
总的 电源 消耗 p
T
(mw)
集电级 电流 i
C
(毫安)
P
T
-t
一个
: 自由 空气
P
T
-t
一个
:
挂载 在 陶瓷的 板
(15 mm
×
15 mm, t = 0.6 mm)
P
T
-t
C
:
当 情况 温度
是 指定
0 25 50 75 100 125 150 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
300 一个
280 一个
260 一个
240 一个
220 一个
200 一个
180 一个
160 一个
140 一个
120 一个
100 一个
80 一个
60 一个
40 一个
µ
µ
µ
µ
µ
µ
µ
µ
µ
µ
µ
µ
µ
µ
µ
µ
I
B
= 20 一个
V
CE
= 2 v
V
CE
= 2 v
电容/f
T
特性
1
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0 1.0 2.0 3.0 4.0
5.0
30
25
20
15
10
5
0
10 100
增益 带宽 产品 vs. 集电级 电流
反转 转移 电容 vs. 集电级 至 根基 电压
反转 转移 电容 c
re
(pf)
集电级 至 根基 电压 v
CB
(v)
增益 带宽 产品 f
T
(ghz)
集电级 电流 i
C
(毫安)
f = 1 mhz
V
CE
= 3 v
f = 2 ghz