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电源 晶体管
2SD1480
硅 npn triple diffusion planar 类型
为 电源 放大器
complementary 至 2sb1052
■
特性
●
高 向前 电流 转移 比率 h
FE
这个 有 satisfactory
线性
●
低 集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
●
全部-包装 包装 这个 能 是 安装 至 这 热温 下沉 和
一个 screw
■
绝对 最大 比率
(t
C
=25˚c)
参数
集电级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
顶峰 集电级 电流
集电级 电流
集电级 电源
消耗
接合面 温度
存储 温度
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
比率
60
60
6
4
2
25
2
150
–55 至 +150
单位
V
V
V
一个
一个
W
˚C
˚C
■
电的 特性
(t
C
=25˚c)
参数
集电级 截止 电流
发射级 截止 电流
集电级 至 发射级 电压
向前 电流 转移 比率
根基 至 发射级 电压
集电级 至 发射级 饱和 电压
转变 频率
转变-在 时间
存储 时间
下降 时间
标识
I
CES
I
CEO
I
EBO
V
CEO
h
FE1
h
FE2
*
V
是
V
ce(sat)
f
T
t
在
t
stg
t
f
情况
V
CE
= 60v, v
是
= 0
V
CE
= 30v, i
B
= 0
V
EB
= 6v, i
C
= 0
I
C
= 30ma, i
B
= 0
V
CE
= 4v, i
C
= 0.1a
V
CE
= 4v, i
C
= 1a
V
CE
= 4v, i
C
= 1a
I
C
= 2a, i
B
= 0.2a
V
CE
= 10v, i
C
= 0.5a, f = 1mhz
I
C
= 1a, i
B1
= 0.1a, i
B2
= – 0.1a,
V
CC
= 50v
最小值
60
35
70
典型值
20
0.2
3.5
0.7
最大值
200
300
1
250
1.2
2
单位
µ
一个
µ
一个
毫安
V
V
V
MHz
µ
s
µ
s
µ
s
*
h
FE2
分级 分类
分级 Q P
h
FE2
70 至 150 120 至 250
T
C
=25
°
C
Ta=25
°
C
单位: mm
1:根基
2:集电级
3:发射级
to–220 全部 包装 包装(一个)
10.0
±
0.2
5.5
±
0.2
7.5
±
0.2
16.7
±
0.3
0.7
±
0.1
14.0
±
0.5
焊盘 插件
4.0
0.5
+0.2
–0.1
1.4
±
0.1
1.3
±
0.2
0.8
±
0.1
2.54
±
0.25
5.08
±
0.5
213
2.7
±
0.2
4.2
±
0.2
4.2
±
0.2
φ
3.1
±
0.1
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