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资料编号：953410
 
资料名称：2SD1480
 
文件大小： 46K
   
说明：
 
介绍:
Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification)
 
 


: 点此下载
  浏览型号2SD1480的Datasheet PDF文件第1页
1
2 		 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2
电源 晶体管 2SD1480
P
C
—Ta I
C
—V
CE
I
C
—V
是
V
ce(sat)
—I
C
h
FE
—I
C
f
T
—I
C
范围 的 safe 运作 (aso) R
th(t)
—t
0 15012510025 7550
0
40
30
10
25
35
20
5
15
(1) t
C
=Ta
(2) 和 一个 100
×
100
×
2mm
al 热温 下沉
(3) 和 一个 50
×
50
×
2mm
al 热温 下沉
(4) 没有 热温 下沉
(p
C
=2.0w)
(1)
(2)
(3)
(4)
包围的 温度 ta
(
˚C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
W
)
012108264
0
5
4
3
2
1
T
C
=25˚C
I
B
=100mA
80mA
50mA
40mA
30mA
20mA
10mA
5mA
1mA
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
03.02.52.00.5 1.51.0
0
6
5
4
3
2
1
V
CE
=4V
T
C
=100˚C
25˚C
–25˚C
根基 至 发射级 电压 v
是
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
0.01 0.1 1 100.03 0.3 3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/i
B
=10
T
C
=100˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
0.01 0.1 1 100.03 0.3 3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
CE
=4V
T
C
=100˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
向前 电流 转移 比率 h
FE
0.01 0.1 1 100.03 0.3 3
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
V
CE
=10V
f=1MHz
T
C
=25˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
转变 频率 f
T
(
MHz
)
1 10 100 10003 30 300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
非 repetitive 脉冲波
T
C
=25˚C
I
CP
I
C
t=10ms
1ms
直流
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
10
–4
1010
–3
10
–1
10
–2
110
3
10
2
10
4
10
–2
10
–1
1
10
10
2
(1) 没有 热温 下沉
(2) 和 一个 100
×
100
×
2mm al 热温 下沉
(1)
(2)
时间 t
(
s
)
热的 阻抗 r
th
(t)
(
˚c/w
)
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