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资料编号:953472
 
资料名称:2SJ506
 
文件大小: 50K
   
说明
 
介绍:
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2sj506(l), 2sj506(s)
4
主要的 特性
40
30
20
10
0
50 100 150 200
–20
–16
–12
–8
–4
0
–4 –8 –12 –16 –20
–4 v
0 –1–2–3–4–5
–3 v
–20
–16
–12
–8
–4
–3.5 v
DS
v = –10 v
脉冲波 测试
–10 v
tc = –25
°
C
脉冲波 测试
v = –2.5 v
GS
75
°
C
–5 v
–4.5 v
25
°
C
–6 v
–8 v
–500
–200
–100
–20
–0.1
–10
–2
–10
–0.1 –0.2
–0.5 –1 –2 –5
–50
–5
–1
–0.2
–0.5
–20 –50
ta = 25
°
C
1 ms
pw = 10 ms (1shot)
10
µ
s
100
µ
s
直流 运作
(tc = 25
°
c)
频道 消耗 pch (w)
情况 温度 tc (
°
c)
电源 vs. 温度 减额
流 至 源 电压 v (v)
DS
流 电流 i (一个)
D
最大 safe 运作 范围
运作 在
这个 范围 是
限制 用 r
ds(在)
流 电流 i (一个)
D
典型 输出 特性
流 至 源 电压 v (v)
DS
门 至 源 电压 v (v)
GS
典型 转移 特性
流 电流 i (一个)
D
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