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资料编号:953472
 
资料名称:2SJ506
 
文件大小: 50K
   
说明
 
介绍:
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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2sj506(l), 2sj506(s)
7
–20
–16
–12
–8
–4
0
–0.4 –0.8 –1.2 –1.6 –2.0
–10 v
–5 v
脉冲波 测试
v = 0.5 v
GS
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10
µ
100
µ
1 m 10 m
100 m 1 10
DM
P
PW
T
d =
PW
T
ch – c(t) = s (t) • ch – c
ch – c = 6.25
°
c/w, tc = 25
°
C
θ γ θ
θ
d = 1
0.5
0.2
0.01
0.02
0.1
0.05
1 shot 脉冲波
tc = 25
°
C
脉冲波 宽度 pw (s)
normalized 瞬时 热的 阻抗 vs. 脉冲波 宽度
反转 流 电流 vs.
源 至 流 电压
源 至 流 电压 v (v)
SD
反转 流 电流 i (一个)
DR
normalized 瞬时 热的 阻抗
s (t)
γ
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