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资料编号:960602
 
资料名称:72173
 
文件大小: 87K
   
说明
 
介绍:
Complementary 30-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si7501DN
vishay siliconix
www.vishay.com
2
文档 号码: 72173
s-32419—rev. b, 24-十一月-03
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
=
250
一个 p-ch
1.0
3
VGate threshold 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 n-ch 1.0 3
V
身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
25 v p-ch
200
nA门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v n-ch
100
nA
V
DS
=
30 v, v
GS
= 0 v p-ch
1
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v n-ch 1
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=
30 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C p-ch
5
一个
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C n-ch 5
状态 流 电流
一个
I
d( )
V
DS
5 v, v
GS
=
10 v p-ch
25
一个在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
5 v, v
GS
= 10 v n-ch 25
一个
V
GS
=
10 v, i
D
=
6.4 一个 p-ch 0.041 0.051
源 在 状态 阻抗
一个
r
ds( )
V
GS
= 10 v, i
D
= 7.7 一个 n-ch 0.028 0.035
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
=
6 v, i
D
=
5.3 一个 p-ch 0.055 0.075
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 6.5 一个 n-ch 0.040 0.050
向前 跨导
一个
g
f
V
DS
=
15 v, i
D
=
6.4 一个 p-ch 13
S向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 7.7 一个 n-ch 15
S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
=
1.7 一个, v
GS
= 0 v p-ch
0.80
1.2
V二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= 1.7 一个, v
GS
= 0 v n-ch 0.80 1.2
V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
p-ch 12.5 19
Total 门 承担 Q
g
p-频道
n-ch 9 14
源 承担 Q
p-频道
V
DS
=
15 v,
V
GS
=
10 v, i
D
=
6.4 一个
p-ch 2.5
nC
门-源 承担 Q
gs
n-频道
V 15 v
V 10 v I 77 一个
n-ch 2
nC
流 承担 Q
d
V
DS
= 15 v,
V
GS
= 10 v, i
D
= 7.7 一个
p-ch 3.6
门-流 承担 Q
gd
n-ch 1.3
门 阻抗 R
p-ch 9
门 阻抗 R
g
n-ch 3
转变 在 延迟 时间 t
d( )
p-ch 10 15
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
n-ch 10 15
上升 时间 t
p-频道
V
DD
=
15 v,R
L
= 5
p-ch 20 30
上升 时间 t
r
V
DD
=
15 v,R
L
=5
I
D
3 一个, v
GEN
=
10 v, r
G
= 1
n-ch 15 25
转变 止 延迟 时间 t
d( ff)
n-频道
V 15 v R 5
p-ch 25 40
ns转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= 15 v, r
L
= 5
I
D
3 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 1
n-ch 20 30
ns
下降 时间 t
f
I
D
3 一个, v
GEN
= 10 v,R
G
= 1
p-ch 30 45
下降 时间 t
f
n-ch 10 15
源-流
t
I
F
=
1.7 一个, di/dt = 100 一个/
s p-ch 25 50
源-流
反转 恢复 时间
t
rr
I
F
= 1.7 一个, di/dt = 100 一个/
s n-ch 20 40
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计,不 主题 至 生产 测试.
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