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资料编号:960602
 
资料名称:72173
 
文件大小: 87K
   
说明
 
介绍:
Complementary 30-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si7501DN
vishay siliconix
www.vishay.com
4
文档 号码: 72173
s-32419—rev. b, 24-十一月-03
典型 特性 (25
c 除非 指出) P−CHANNEL
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0246810
T
J
= 150
C
I
D
= 6.4 一个
30
10
1
源-流 二极管 向前 voltage 在-阻抗 vs. 门-至-源电压
在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
源-至-流 电压 (v) V
GS
门-至-源 电压 (v)
源 电流 (一个)I
S
T
J
= 25
C
0
30
50
10
20
电源 (w)
单独的 脉冲波 电源
时间 (秒)
40
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
50
25 0 25 50 75 100 125 150
I
D
= 250
一个
门槛 voltage
variance (v)V
gs(th)
T
J
温度 (
c)
1 100 6001010
1
10
2
10
3
safe 运行 范围
V
DS
流-至-源 电压 (v)
100
1
0.1 1 10 100
0.01
10
T
一个
= 25
C
单独的 脉冲波
流 电流 (一个)I
D
p(t) = 10
直流
0.1
I
DM
限制
I
d(在)
限制
r
ds(在)
限制
BV
DSS
限制
p(t) = 1
p(t) = 0.1
p(t) = 0.01
p(t) = 0.001
p(t) = 0.0001
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