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产品 数据 薄板 rev. 05 — 10 二月 2005 4 的 15
飞利浦 半导体
74LVT125
3.3 v 四方形 缓存区; 3-状态
7. 函数的 描述
7.1 函数 表格
[1] h = 高 电压 水平的;
l = 低 电压 水平的;
x = don’t 小心;
z = 高-阻抗 止-状态.
8. 限制的 值
[1] 这 输入 和 输出 负的 电压 比率 将 是 超过 如果 这 输入 和 输出 clamp 电流 比率
是 observed.
[2] 这 效能 能力 的 一个 高-效能 整体的 电路 在 conjunction 和 它的 热的
环境 能 create 接合面 温度 这个 是 detrimental 至 可靠性.
表格 4: 函数 表格
[1]
输入 输出
nOE nA nY
LLL
LHH
HXZ
表格 5: 限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 60134). 电压 是 关联 至
地 (地面 = 0 v).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CC
供应 电压
−
0.5 +4.6 V
V
I
输入 电压
[1]
−
0.5 +7.0 V
V
O
输出 电压 输出 在 止-状态 或者
高-状态
[1]
−
0.5 +7.0 V
I
IK
输入 二极管 电流 V
I
<0v -
−
50 毫安
I
OK
输出 二极管 电流 V
O
<0v -
−
50 毫安
I
O
输出 电流 输出 在 低-状态 - 128 毫安
输出 在 高-状态 -
−
64 毫安
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
[2]
- 150
°
C