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产品 数据 薄板 rev. 05 — 10 二月 2005 7 的 15
飞利浦 半导体
74LVT125
3.3 v 四方形 缓存区; 3-状态
[1] 典型 值 是 在 v
CC
= 3.3 v 和 t
amb
=25
°
c.
12. 波形
t
PHZ
输出 使不能运转 时间 noe 至 ny V
CC
= 2.7 V - - 5.7 ns
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V 1.8 3.7 5.1 ns
t
PLZ
输出 使不能运转 时间 noe 至 ny V
CC
= 2.7 V - - 4.0 ns
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V 1.3 2.6 4.5 ns
表格 8: 动态 特性
…continued
地 = 0 v; t
r
=t
f
= 2.5 ns; c
L
= 50 pf; r
L
= 500
Ω
; 为 测试 电路 看 图示 8.
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
V
M
= 1.5 v.
V
OL
和 v
OH
是 典型 电压 输出 漏出 那 出现 和 这 输出 加载.
图 6. 传播 延迟 输入 (na) 至 输出 (ny)
V
M
= 1.5 v.
V
OL
和 v
OH
是 典型 电压 输出 漏出 那 出现 和 这 输出 加载.
图 7. 使能 和 使不能运转 时间 的 3-状态 输出
mnb072
na 输入
ny 输出
t
PLH
t
PHL
地
V
I
V
M
V
M
V
M
V
M
V
OH
V
OL
001aac475
t
PZL
ny 输出
ny 输出
noe 输入
V
OL
V
CC
V
OH
V
I
V
M
地
0 v
t
PLZ
t
PZH
t
PHZ
V
OL
+
0.3 v
V
OH
−
0.3 v
V
M
V
M

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9397 750 14703 © koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2005. 所有权利保留. 产品数据薄板 rev. 05 — 10 二月 2005 7 的 15 飞利浦半导体 74LVT125 3.3 v 四方形缓存区; 3-状态 [1] 典型值是在 v CC = 3.3 v 和 t amb =25 ° c. 12. 波形 t PHZ 输出使不能运转时间 noe 至 ny V CC = 2.7 V - - 5.7 ns V CC = 3.3 V ± 0.3 V 1.8 3.7 5.1 ns t PLZ 输出使不能运转时间 noe 至 ny V CC = 2.7 V - - 4.0 ns V CC = 3.3 V ± 0.3 V 1.3 2.6 4.5 ns 表格 8: 动态特性 …continued 地 = 0 v; t r =t f = 2.5 ns; c L = 50 pf; r L = 500 Ω ; 为测试电路看图示 8. 标识参数情况最小值 Typ 最大值单位 V M = 1.5 v. V OL 和 v OH 是典型电压输出漏出那出现和这输出加载. 图 6. 传播延迟输入 (na) 至输出 (ny) V M = 1.5 v. V OL 和 v OH 是典型电压输出漏出那出现和这输出加载. 图 7. 使能和使不能运转时间的 3-状态输出 mnb072 na 输入 ny 输出 t PLH t PHL 地 V I V M V M V M V M V OH V OL 001aac475 t PZL ny 输出 ny 输出 noe 输入 V OL V CC V OH V I V M 地 0 v t PLZ t PZH t PHZ V OL + 0.3 v V OH − 0.3 v V M V M

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