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资料编号:964461
 
资料名称:AD669BN
 
文件大小: 460K
   
说明
 
介绍:
Monolithic 16-Bit DACPORT
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
AD669
rev. 一个
–4–
订货 手册
线性 增益
温度 错误 最大值 tc 最大值 包装 包装
模型 范围 T
最小值
–T
最大值
ppm/
C 描述 Option*
AD669AN –40
°
c 至 +85
°
C
±
4 lsb 25 塑料 插件 n-28
AD669AR –40
°
c 至 +85
°
C
±
4 lsb 25 SOIC r-28
AD669BN –40
°
c 至 +85
°
C
±
2 lsb 15 塑料 插件 n-28
AD669BR –40
°
c 至 +85
°
C
±
2 lsb 15 SOIC r-28
AD669AQ –40
°
c 至 +85
°
C
±
4 lsb 15 Cerdip q-28
AD669BQ –40
°
c 至 +85
°
C
±
2 lsb 15 Cerdip q-28
AD669SQ –55
°
c 至 +125
°
C
±
4 lsb 15 Cerdip q-28
ad669/883b** –55
°
c 至 +125
°
C** ** ** **
** n = 塑料 插件; q = cerdip; r = soic.
** 谈及 至 ad669/883b 军队 数据 薄板.
静电释放 敏锐的
这 ad669 特性 输入 保护 电路系统 consisting 的 大 晶体管 和 polysilicon 序列
电阻器 至 dissipate 两个都 高-活力 discharges (人 身体 模型) 和 快, low-energy 脉冲
(charged 设备 模型). 每 方法 3015.2 的 mil-标准-883: c, 这 ad669 有 被 classified
作 一个 类 2 设备.
恰当的 静电释放 预防措施 是 strongly 推荐 至 避免 函数的 损坏 或者 效能
降级. charges 作 高 作 4000 伏特 readily accumulate 在 这 人 身体 和 测试
设备 和 释放 没有 发现. unused 设备 必须 是 贮存 在 传导性的 foam 或者
shunts, 和 这 foam 应当 是 释放 至 这 destination 插座 在之前 设备 是 移除.
为 更远 信息 在 静电释放 预防措施, 谈及 至 相似物 设备’ 静电释放 prevention 手工的.
WARNING!
静电释放 敏感的 设备
绝对 最大 比率
*
V
CC
至 agnd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 +17.0 v
V
EE
至 agnd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +0.3 v 至 –17.0 v
V
LL
至 dgnd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 +7 v
agnd 至 dgnd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
1 v
数字的 输入 (管脚 5 通过 23) 至 dgnd . . . . . . –1.0 v 至
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +7.0 v
ref 在 至 agnd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
10.5 v
span/双极 补偿 至 agnd . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
10.5 v
ref 输出, v
输出
. . . . . . indefinite 短的 至 agnd, dgnd,
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
CC
, v
EE
, 和 v
LL
电源 消耗 (任何 包装)
至 +60
°
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000 mw
derates 在之上 +60
°
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8.7 mw/
°
C
存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65
°
c 至 +150
°
C
含铅的 温度 (焊接, 10 秒) . . . . . . . . . . . . . +300
°
C
*stresses 在之上 那些 列表 下面 “absolute 最大 ratings” 将 导致
永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的, 和 函数的
运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 indicated 在
这 运算的 部分 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露至 绝对
最大 比率 情况 为 扩展 时期 将 影响设备 可靠性.
管脚 配置
DB15
DB14
DB13
DB12
DB11
DB10
DB9
DB8
DGND
V
EE
V
CC
V
LL
CS
L1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
顶 视图
(不 至 规模)
DB7
DB6
DB5
DB4
DB3
DB2
AGND
LDAC
DB0
DB1
AD669
ref 输出
ref 在
V
输出
span/bip
补偿
thd + n – %
温度 –
°
C
10
0.001
125
0.01
–25
–50
0.1
1
10075
50250
–60dB
–20dB
0dB
thd+n vs. 温度
频率 – hz
thd + n – %
10
0.001
0.01
0.1
1
100 100001000
–60dB
–20dB
0dB
thd+n vs. 频率
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