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–6– rev. 一个
提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 v readily
accumulate 在 这 人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有 发现.
虽然 这
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特性 专卖的 静电释放 保护 电路系统, perma-
nent 损坏 将 出现 在 设备 subjected 至 高 活力 静电的 discharges. 因此,
恰当的 静电释放 预防措施 是 推荐 至 避免 效能 降级 或者 丧失 的 符合实际.
绝对 最大 比率
1
(
T
一个
= +25
°
c 除非 否则 指出)
V
DD
至 agnd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3␣ v 至 +7␣ V
V
DD
至 dgnd. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3␣ v 至 +7␣ V
相似物 输入 电压 至 agnd
V
IN1
至 v
IN4
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 v
DD
+ 0.3 v
涉及 输入 电压 至 agnd
2
. . . –0.3 v 至 v
DD
+ 0.3␣ V
数字的 输入 电压 至 dgnd . . . . . . –0.3 v 至 v
DD
+ 0.3 v
数字的 输出 电压 至 dgnd . . . . . –0.3 v 至 v
DD
+ 0.3 v
存储 温度 范围 . . . . . . . . . . . . –65
°
c 至 +150
°
C
接合面 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150
°
C
tssop, 电源 消耗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450 mw
θ
JA
热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .120
°
c/w
含铅的 温度, 焊接 . . . . . . . . . . . . . . . . . +260
°
C
vapor 阶段 (60 秒). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +215
°
C
infrared (15 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +220
°
C
16-含铅的 soic 包装, 电源 消耗 . . . . . . . . 450 mw
θ
JA
热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .100
°
c/w
含铅的 温度, 焊接
vapor 阶段 (60 秒). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +215
°
C
infrared (15 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +220
°
C
8-含铅的 soic 包装, 电源 消耗 . . . . . . . . . 450 mw
θ
JA
热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .157
°
c/w
含铅的 温度, 焊接
vapor 阶段 (60 秒). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +215
°
C
infrared (15 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +220
°
C
订货 手册
温度 温度 包装 Branding 包装
模型 范围 错误 @ +25
°
C 描述 信息 选项
AD7816AR –55
°
c 至 +125
°
C
±
2
°
C 8-含铅的 narrow 身体 (soic) 所以-8
AD7816ARM –55
°
c 至 +125
°
C
±
2
°
C 8-含铅的
µ
SOIC C4A rm-8
AD7817AR –40
°
c 至 +85
°
C
±
2
°
C 16-含铅的 narrow 身体 (soic) r-16a
AD7817BR –40
°
c 至 +85
°
C
±
1
°
C 16-含铅的 narrow 身体 (soic) r-16a
AD7817ARU –40
°
c 至 +85
°
C
±
2
°
C 16-含铅的 (tssop) ru-16
AD7817BRU –40
°
c 至 +85
°
C
±
1
°
C 16-含铅的 (tssop) ru-16
AD7817SR –55
°
c 至 +125
°
C
±
2
°
C 16-含铅的 narrow 身体 (soic) r-16a
AD7818AR –55
°
c 至 +125
°
C
±
2
°
C 8-含铅的 narrow 身体 (soic) 所以-8
AD7818ARM –55
°
c 至 +125
°
C
±
2
°
C 8-含铅的
µ
SOIC C3A rm-8
µ
soic 包装, 电源 消耗 . . . . . . . . . . . . . . 450 mw
θ
JA
热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .206
°
c/w
含铅的 温度, 焊接
vapor 阶段 (60 秒). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +215
°
C
infrared (15 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +220
°
C
注释
1
压力 在之上 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 导致 perma-
nent 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的; 函数的 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 列表 在 这 运算的 sections
的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 condi-
tions 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
2
如果 这 涉及 输入 电压 是 likely 至 超过 v
DD
用 更多 比 0.3 v (e.g.,
在 电源-向上) 和 这 涉及 是 有能力 的 供应 30 毫安 或者 更多, 它 是
推荐 至 使用 一个 夹紧 二极管 在 这 ref
在
管脚 和 v
DD
管脚. 这
图解 在下 显示 如何 这 二极管 应当 是 连接.
REF
在
V
DD
BAT81
ad7816/ad7817
WARNING!
静电释放 敏感的 设备
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