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资料编号:965356
 
资料名称:ADP3417JR
 
文件大小: 1487K
   
说明
 
介绍:
Dual Bootstrapped MOSFET Driver
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
rev. 一个
–2–
ADP3417–SPECIFICATIONS
1
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
供应
供应 电压 范围 VCC 4.15 13.2 V
安静的 电流 ISYS vcc = bst = 12 v, 在 = 0 v 5 7 毫安
pwm 输入
输入 电压 高
2
2.5 V
输入 电压 低
2
0.8 V
高 一侧 驱动器
输出 阻抗, sourcing 电流 V
BST
V
SW
= 12 v 1.75 3.0
输出 阻抗, sinking 电流 V
BST
V
SW
= 12 v 1.0 2.5
转变 时间
3
tr
DRVH
看 图示 2, v
BST
V
SW
= 12 v, 45 55 ns
C
加载
= 3 nf
转变 时间
3
tf
DRVH
看 图示 2, v
BST
V
SW
= 12 v, 20 30 ns
C
加载
= 3 nf
传播 延迟
3, 4
tpdh
DRVH
看 图示 2, v
BST
V
SW
= 12 v, 45 65 ns
tpdl
DRVH
V
BST
V
SW
= 12 v 15 35 ns
低 一侧 驱动器
输出 阻抗, sourcing 电流 vcc = 12 v 1.75 3.0
输出 阻抗, sinking 电流 vcc = 12 v 1.0 2.5
转变 时间
3
tr
DRVL
看 图示 2, vcc = 12 v, 25 35 ns
C
加载
= 3 nf
tf
DRVL
看 图示 2, vcc = 12 v, 21 30 ns
C
加载
= 3 nf
传播 延迟
3, 4
(看 图示 2) tpdh
DRVL
看 图示 2, vcc = 12 v 30 60 ns
tpdl
DRVL
看 图示 2, vcc = 12 v 10 20 ns
注释
1
所有 限制 在 温度 extremes 是 有保证的 通过 correlation 使用 标准 statistical 质量 控制 (sqc) 方法.
2
逻辑 输入 满足 典型 cmos i/o 情况 为 源/下沉 电流 (~1
µ
一个).
3
交流 规格 是 有保证的 用 描绘 但是 不 生产 测试.
4
为 传播 延迟,
TPDH
谈及 至 这 指定 信号 going 高;
TPDL
谈及 至 它 going 低.
规格 主题 至 改变 没有 注意.
(vcc = 12 v, bst = 4 v 至 26 v, t
一个
= 0
c 至 70
c, 除非 否则 指出.)
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