rev. 一个
ADP3417
–3–
绝对 最大 比率
*
VCC .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–
0.3 v 至 +15 v
BST .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–
0.3 v 至 +30 v
bst 至 sw . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–
0.3 v 至 +15 v
SW . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–
5.0 v 至 +25 v
在 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
–
0.3 v 至 vcc + 0.3 v
运行 包围的 温度 范围 . . . . . . . 0
°
c 至 70
°
C
运行 接合面 温度 范围 . . . . . . 0
°
c 至 125
°
C
θ
JA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .123
°
c/w
θ
JC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .40
°
c/w
存储 温度 范围 . . . . . . . . . . . .
–
65
°
c 至 +150
°
C
含铅的 温度 (焊接, 10 秒) . . . . . . . . . . . . . 300
°
C
*
这个 是 一个 压力 比率 仅有的; 运作 在之外 这些 限制 能 导致 这 设备 至
是 permanently 损坏. 除非 否则 指定, 所有 电压 是 关联
至 pgnd.
管脚 配置
在
VCC
BST
NC
DRVH
SW
DRVL
PGND
nc = 非 连接
ADP3417
顶 视图
(不 至 规模)
1
2
3
4
8
7
6
5
管脚 函数 描述
管脚 Mnemonic 函数
1 BST floating 自举 供应 为 这 upper场效应晶体管. 一个 电容 连接 在 bst 和 sw 管脚
holds 这个 bootstrapped 电压 为 这 高 一侧 场效应晶体管 作 它 是 切换. 这 电容 应当 是
选择 在 100 nf 和 1
f.
2INLogic-水平的 输入 信号 那 有 primary 控制 的 这 驱动 输出.
3NC 非 连接
4 VCC 输入 供应. 这个 管脚 应当 是 绕过 至 pgnd 和 ~1
µ
f 陶瓷的 电容.
5 DRVL 同步的 整流器 驱动. 输出 驱动 为 这 更小的 (同步的 整流器) 场效应晶体管.
6 PGND 电源 地面. 应当 是 closely 连接 至 这 源 的 这 更小的 场效应晶体管.
7SW 这个 管脚 是 连接 至 这 buck-切换 node,关闭 至 这 upper 场效应晶体管
’
s 源. 它 是 这 floating
返回 为 这 upper 场效应晶体管 驱动 信号. 它 是 也 使用 至 监控 这 切换 电压 至 阻止 转变-
在 的 这 更小的 场效应晶体管 直到 这 电压 是 在下 ~1 v. 因此, 符合 至 运行 情况, 这
高 低 转变 延迟 是 决定 在 这个 管脚.
8 DRVH buck 驱动. 输出 驱动 为 这 upper (buck) 场效应晶体管.
订货 手册
温度 包装 包装
模型 范围 描述 选项
ADP3417JR 0
°
c 至 70
°
C8-含铅的 标准所以
IC
-8
小 外形 (soic)
提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 v readily
accumulate 在 这 人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有 发现. 虽然
这 adp3417 特性 专卖的 静电释放 保护 电路系统, 永久的 损坏 将 出现 在
设备 subjected 至 高 活力 静电的 discharges. 因此, 恰当的 静电释放 预防措施 是
推荐 至 避免 效能 降级 或者 丧失 的 符合实际.
WARNING!
静电释放 敏感的 设备
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