®
AS7C1025
AS7C31025
3/23/01; v.1.0
alliance 半导体
p. 2 的 9
函数的 描述
这 as7c1025 和 as7c31025 是 高-效能 cmos 1,048,576-位 静态的 随机的 进入 记忆 (sram) 设备
有组织的 作 131,072 words × 8 位. 它们 是 设计 为 记忆 产品 在哪里 快 数据 进入, 低 电源, 和
简单的 接合 是 desired.
equal 地址 进入 和 循环 时间 (t
AA
, t
RC
, t
WC
) 的 12/15/20 ns 和 输出 使能 进入 时间 (t
OE
) 的 6,7,8 ns 是 完美的
为 高-效能 产品. 这 chip 使能 输入 ce
准许 容易 记忆 和 expansion 和 多样的-bank
记忆 系统.
当
CE
是 高 这 设备 enter 备用物品 模式. 这 标准 as7c1025 是 有保证的 不 至 超过 27.5 mw 电源
消耗量 在 备用物品 模式, 和 典型地 需要 仅有的 5 mw. 两个都 设备 也 提供 2.0v 数据 保持.
一个 写 循环 是 accomplished 用 asserting 写 使能 (
我们
) 和 碎片 使能 (
CE
). 数据 在 这 输入 管脚 i/o0-i/o7 是
写 在 这 rising 边缘 的
我们
(写 循环 1) 或者
CE
(写 循环 2). 至 避免 总线 contention, 外部 设备 应当 驱动
i/o 管脚 仅有的 之后 输出 有 被 无能 和
输出 使能 (
OE
) 或者 写 使能
(
我们
).
一个 读 循环 是 accomplished 用 asserting 输出 使能 (
OE
) 和 碎片 使能 (
CE
), 和 写 使能 (
我们
) 高. 这 碎片
驱动 i/o 管脚 和 这 数据 文字 关联 用 这 输入 地址. 当 也 碎片 使能 或者 输出 使能 是 inactive, 或者
写 使能 是 起作用的, 输出 驱动器 停留 在 高-阻抗 模式.
所有 碎片 输入 和 输出 是 ttl-兼容, 和 运作 是 从 一个 单独的 5v 供应 (as7c1025) 或者 3.3v 供应
(as7c31025). 这 as7c1025 和 as7c31025 是 packaged 在 一般 工业 标准 包装.
绝对 最大 比率
便条: 压力 更好 比 那些 列表 下面
绝对 最大 比率
将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的
运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 外部 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 specification 是 不 暗指. 暴露 至
绝对 最大 比率 情况 为 扩展 时期 将 影响 可靠性.
真实 表格
关键: x = don’t 小心, l = 低, h = 高
参数 设备 标识 最小值 最大值 单位
Volt一个geonV
CC
相关的 至 地
AS7C1025 V
t1
–0.50 +7.0 V
AS7C31025 V
t1
–0.50 +5.0 V
电压 在 任何 管脚 相关的 至 地 V
t2
–0.50 V
CC
+ 0.5 V
电源 消耗 P
D
–1.0w
存储 温度 (塑料) T
stg
–65 +150
o
C
包围的 温度 和 v
CC
应用 T
偏差
–55 +125
o
C
直流 电流 在 输出 (低) I
输出
–20mA
CE 我们 OE
数据 模式
H X X 高 z 备用物品 (i
SB
, i
SB1
)
L H H 高 z 输出 使不能运转 (i
CC
)
LHL D
输出
读 (i
CC
)
LLX D
在
写 (i
CC
)
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