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资料编号:969127
 
资料名称:AS7C31025-12TJC
 
文件大小: 196K
   
说明
 
介绍:
5V/3.3V 128K x8 CMOS SRAM (Revolutionary pinout)
 
 


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®
AS7C1025
AS7C31025
3/23/01; v.1.0
alliance 半导体
p. 4 的 9
读 循环 (在 这 运行 范围)
3,9
关键 至 切换 波形
读 波形 1 (地址 控制)
3,6,7,9
读 波形 2 (ce和 oe控制)
3,6,8,9
参数 标识
-12 -15 -20
单位 注释最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
读 循环 时间 t
RC
12 15 20 ns
地址 进入 时间 t
AA
–12–15–20 ns 3
碎片 使能 (
CE
) 进入 时间 t
交流E
–12–15–20 ns 3
输出 使能 (
OE
) 进入 时间 t
OE
–6–7–8 ns
输出 支撑 从 地址 改变 t
OH
3–3–3– ns 5
CE
低 t
o 输出 在 低 z t
CLZ
0–0–0– ns 4, 5
CE
低 至 输出 在 高 z t
CHZ
–3–4–5 ns 4, 5
OE
低 至 输出 在 低 z t
OLZ
0–0–0– ns 4, 5
OE
高 至 输出 在 高 z t
OHZ
–3–4–5 ns 4, 5
电源 向上 时间 t
PU
0–0–0– ns 4, 5
电源 向下 时间 t
PD
–12–15–20 ns 4, 5
未阐明的/don’t 小心下落 输入Rising 输入
地址
D
输出
数据 有效的
t
OH
t
AA
t
RC
电流
供应
OE
D
输出
t
OE
t
OLZ
t
交流E
t
CHZ
t
CLZ
t
PU
t
PD
I
CC
I
SB
50% 50%
数据 有效的
t
RC1
CE
t
OHZ
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