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特性
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单独的 电压 运作
– 5v 读
– 5v reprogramming
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快 读 进入 时间 - 90 ns
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内部的 擦掉/程序 控制
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sector architecture
– 一个 8k words (16k 字节) 激励 块 和 程序编制 lockout
– 二 8k words (16k 字节) 参数 blocks
– 一个 488k words (976k 字节) 主要的 记忆 排列 块
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快 sector 擦掉 时间 - 10 秒
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文字-用-文字 程序编制 - 50
µ
s/文字
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硬件 数据 保护
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数据polling 为 终止 的 程序 发现
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低 电源 消耗
– 50 毫安 起作用的 电流
– 300
µ
一个 cmos 备用物品 电流
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典型 10,000 写 循环
描述
这 at49f8192 是 一个 5-volt-仅有的, 8 megabit flash 记忆 有组织的 作 512k words
的 16 位 各自. 制造的 和 atmel's 先进的 nonvolatile cmos 技术,
这 设备 提供 进入 时间 至 90 ns 和 电源 消耗 的 just 275 mw. 当
deselected, 这 cmos 备用物品 电流 是 较少 比 300
µ
一个.
管脚 配置
管脚 名字 函数
a0 - a18 地址
CE
碎片 使能
OE
输出 使能
我们 写 使能
重置
重置
i/o0 - i/o15 数据 输入/输出
NC 非 连接
0588d-a–10/97
tsop 顶 视图
类型 1
soic (sop)
8-megabit
(512k x 16)
5-volt 仅有的
cmos flash
记忆
AT49F8192
AT49F8192T
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