二月.1999
10
1
10
3
7
5
3
2
–60 –20 20
10
2
7
5
3
2
60 100 140
4
4
–40 0 40 80 120
最大 瞬时 热的
阻抗 特性
(接合面 至 情况)
瞬时 热的 阻抗 (°c/w)
传导 时间
(循环 在 60hz)
瞬时 热的 阻抗 (°c/w)
传导 时间
(循环 在 60hz)
门 特性
(
Ι
,
ΙΙ
和
ΙΙΙ
)
门 电压 (v)
门 电流 (毫安)
门 触发 电流 vs.
接合面 温度
接合面 温度 (°c)
100 (%)
门 触发 电流
(t
j
=
t°C
)
门 触发 电流
(t
j
=
25°C
)
门 触发 电压 vs.
接合面 温度
接合面 温度 (°c)
100 (%)
门 触发 电压
(t
j
=
t°C
)
门 触发 电压
(t
j
=
25°C
)
最大 瞬时 热的
阻抗 特性
(接合面 至 包围的)
10
–1
10
0
2
3
5
7
10
1
2
3
5
7
10
2
2
3
5
7
10
0
2
10
1
357 2
10
2
357 2
10
3
357
I
GM
=
0.5a
V
GT
I
RGT
I
P
GM
= 3w
P
g(av)
= 0.3w
I
FGM
I
,
I
rgm iii
V
GD
= 0.2v
10
1
10
3
7
5
3
2
–60 –20 20
10
2
7
5
3
2
60 100 140
4
4
–40 0 40 80 120
典型 例子
I
RGT
III
I
FGT
I
,
I
rgt i
10
1
10
3
7
5
3
2
–60 –20 20
10
2
7
5
3
2
60 100 140
4
4
–40 0 40 80 120
典型 例子
2310
–1
5710
0
23 5710
1
23 5710
2
4.0
4.5
5.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
2310
2
5710
3
23 57
10
2
2
10
3
357 2
10
4
357 2
10
5
357
10
0
10
1
2
3
4
5
7
10
2
2
3
4
5
7
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
4.5
3.5
2.5
1.5
0.5
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
360°
传导
resistive,
INDUCTIVE
负载
最大 在-状态 电源
消耗
在-状态 电源 消耗 (w)
rms 在-状态 电流 (一个)
mitsubishi 半导体
〈
TRIAC
〉
BCR3KM
低 电源 使用
insulated 类型, planar passivation 类型
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