二月.1999
mitsubishi 半导体
〈
TRIAC
〉
BCR3KM
低 电源 使用
insulated 类型, planar passivation 类型
0
20
40
60
80
100
120
140
160
–60–40 0 40 80 120–20 20 60 100 140
典型 例子
0
20
40
60
80
160
100
120
140
10
1
2
10
2
357 2
10
3
357 2
10
4
357
典型 例子
i quadrant
iii quadrant
T
j
= 125
°
C
10
0
10
1
23457
10
2
23457
10
1
10
2
2
3
4
5
7
10
3
2
3
4
5
7
I
fgt i
I
rgt i
I
rgt iii
典型 例子
breakover 电压 vs.
接合面 温度
接合面 温度 (
°
c)
100 (%)
breakover 电压
(t
j
=
t
°
C
)
breakover 电压
(t
j
=
25
°
C
)
breakover 电压 vs.
比率 的 上升 的
止-状态 电压
比率 的 上升 的 止-状态 电压 (v/
µ
s)
100 (%)
breakover 电压
(
dv/dt = xv/
µ
s
)
breakover 电压
(
dv/dt = 1v/
µ
s
)
门 触发 电流 vs.
门 电流 脉冲波 宽度
门 电流 脉冲波 宽度 (
µ
s)
100 (%)
门 触发 电流
(
tw
)
门 触发 电流
(
直流
)
门 触发 特性 测试 电路
R
G
6V
6
Ω
一个
V
R
G
6V
6
Ω
一个
V
R
G
6V
6
Ω
一个
V
测试 程序
测试 程序
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