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资料编号:971472
 
资料名称:BS616LV4017EI
 
文件大小: 265K
   
说明
 
介绍:
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
修订 2.1
jan. 2004
3
C
输入
电容
V
=0V 6 pF
C
DQ
输入/输出
电容
V
i/o
=0V 8 pF
范围
包围的
温度
Vcc
商业的 0
O
c 至 +70
O
C 4.5v ~ 5.5v
工业的 -40
O
c 至 +85
O
C 4.5v ~ 5.5v
1. 典型 特性 是 在 t
一个
= 25
o
c.
2. 这些 是 绝对 值 和 遵守 至 设备 地面 和 所有 overshoots 预定的 至 系统 或者 tester 注意 是 包含.
3. fmax = 1/t
RC
.
4. i
cc
sb1_最大值.
是 30ua vcc=5.0v 和 t
一个
=70
o
c.
5. icc
_最大值.
是 63ma(@55ns) / 53ma(@70ns) 在 vcc=5.0v/t
一个
=0~70
o
c.
绝对 最大 比率
(1)
运行 范围
电容
(1)
(ta = 25
o
c, f = 1.0 mhz)
1. 压力 更好 比 那些 列表 下面 绝对 最大
比率 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个
压力 比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这 设备 在 这些
或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的
sections 的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对
最大 比率 情况 为 扩展 时期 将 影响
可靠性.
1. 这个 参数 是 有保证的 和 不 100% 测试.
直流 电的 特性
( ta = -40 至 + 85
o
c )
标识 PARAMETER 比率 单位
V
终端 电压 和
遵守 至 地
-0.5 至
vcc+0.5
V
T
偏差
温度 下面 偏差 -40 至 +85
O
C
T
STG
存储 温度
-60 至 +150
O
C
P
T
电源 消耗
1.0 w
I
输出
直流 输出 电流 20 毫安
BSI
BS616LV4018
参数
名字
参数 测试 情况 最小值 典型值
(1
)
最大值
单位
V
IL
有保证的 输入 低
电压
(2)
-0.5
--
V
V
IH
有保证的 输入 高
电压
(2)
--
vcc+0.3
V
I
IL
输入 泄漏 电流 Vcc = 最大值, v
= 0v 至Vcc -- -- 1 uA
I
LO
输出 泄漏 电流
Vcc = 最大值, ce = v
IH
, 或者 oe = v
IH
,
V
i/o
= 0v 至 Vcc
-- -- 1 uA
V
OL
输出 低 电压
--
--
V
V
OH
输出 高 电压
--
--
V
I
CC
运行 电源
供应 电流
CE=V
IL
,i
DQ
= 0ma,
F=Fmax
(3)
--
--
毫安
I
CCSB
备用物品 电流-ttl
ce = v
IH
, i
DQ
= 0ma
--
--
毫安
I
CCSB1
备用物品 电流-cmos
CE
vcc-0.2v,
V
Vcc - 0.2v 或者 v
0.2v
--
uA
标识 参数 情况 最大值 单位
r0201-bs616lv4018
2.0 60
vcc=5.0v
55
vcc=5.0v
2.2
vcc=5.0v
vcc=5.0v
vcc=5.0v
vcc=5.0v
vcc=5.0v
0.8
2.4
1.0
0.4
Vcc = 最大值, i
OL
= 2.0ma
Vcc = 最小值, i
OH
= -1.0ma
(4)
70ns
55ns
65
(5)
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