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资料编号:971472
 
资料名称:BS616LV4017EI
 
文件大小: 265K
   
说明
 
介绍:
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 16 bit
 
 


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修订 2.1
jan. 2004
6
r0201-bs616lv4018
BSI
BS616LV4018
注释:
1. 我们 是 高 在 读 循环.
2. 设备 是 continuously 选择 当 ce = V
IL
.
3. 地址 有效的 较早的 至 或者 coincident 和 ce 转变 低.
4. oe = V
IL
.
5. 这 参数 是 有保证的 但是 不 100% 测试.
t
OH
读 cycle3
(1,4)
t
RC
t
OE
D
输出
lb,ub
CE
OE
地址
t
CLZ
t
ACS
t
CHZ
(1,5)
t
OHZ
t
OLZ
t
AA
读 cycle2
(1,3,4)
t
CLZ
t
CHZ
D
输出
lb,ub
CE
t
BA
t
ACS
t
t
BDO
t
BDO
t
BA
t
(5)
(5)
(5)
(5)
切换 波形 (读 循环)
读 cycle1
(1,2,4)
t
RC
t
OH
t
AA
D
输出
地址
t
OH
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