飞利浦 半导体 产品 规格
TrenchMOS
晶体管 buk7528-55a
标准 水平的 场效应晶体管 buk7628-55a
avalanche 限制的 值
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
W
DSS
流-源 非-repetitive I
D
= 34 一个; v
DD
≤
25 v; - - 58 mJ
unclamped inductive 转变-止 V
GS
= 5 v; r
GS
= 50
Ω
; t
mb
= 25 ˚c
活力
图.1. normalised 电源 消耗.
pd% = 100
⋅
P
D
/p
d 25 ˚c
= f(t
mb
)
图.2. normalised 持续的 流 电流.
id% = 100
⋅
I
D
/i
d 25 ˚c
= f(t
mb
); 情况: v
GS
≥
5 v
图.3. safe 运行 范围. t
mb
= 25 ˚c
I
D
&放大; i
DM
= f(v
DS
); i
DM
单独的 脉冲波; 参数 t
p
图.4. 瞬时 热的 阻抗.
Z
th j-mb
= f(t); 参数 d = t
p
/t
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
tmb / c
PD%
normalised 电源 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1
10
100
1000
1 10 100 1000
vds / v
id / 一个
d.c.
100 ms
10 ms
rds(在) = vds/ id
1 ms
tp =
100 美国
10us
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
tmb / c
ID%
normalised 电流 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
zth / (k/w)
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
1
10
0.000001 0.0001 0.01 1 100 10000
vds / v
Tt
tp
D=
tp
TPD
d =
六月 2000 3 rev 1.100
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