飞利浦 半导体 产品 规格
TrenchMOS
晶体管 buk7528-55a
标准 水平的 场效应晶体管 buk7628-55a
一般 描述 快 涉及 数据
n-频道 增强 模式
标识 参数 最大值 单位
标准 水平的 地方-效应 电源
晶体管 在 一个 塑料 封套 V
DS
流-源 电压 55 V
有 在 TO220AB 和 SOT404 . I
D
流 电流 (直流) 41 一个
使用 ’
trench
’ 技术 这个 P
tot
总的 电源 消耗 99 W
特性 非常 低 在-状态 T
j
接合面 温度 175 ˚C
阻抗. 它 是 将 为 使用 在 R
ds(在)
流-源 在-状态
automotive 和 一般 目的 阻抗 V
GS
= 10 v 28 m
Ω
切换 产品.
固定
to220ab &放大; sot404 管脚 配置 标识
管脚 描述
1 门
2 流
3 源
tab/mb 流
限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 - - 55 V
V
DGR
流-门 电压 R
GS
= 20 k
Ω
-55v
±
V
GS
门-源 电压 - - 20 V
I
D
流 电流 (直流) T
mb
= 25 ˚c - 42 一个
I
D
流 电流 (直流) T
mb
= 100 ˚c - 30 一个
I
DM
流 电流 (脉冲波 顶峰 值) T
mb
= 25 ˚c - 168 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
mb
= 25 ˚c - 99 W
T
stg
, t
j
存储 &放大; 运行 温度 - - 55 175 ˚C
热的 抵制
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
R
th j-mb
热的 阻抗 接合面 至 - - 1.5 k/w
挂载 根基
R
th j-一个
热的 阻抗 接合面 至 在 自由 空气 60 - k/w
包围的(to220ab)
R
th j-一个
热的 阻抗 接合面 至 最小 footprint, fr4 50 - k/w
包围的(sot404) 板
1
23
tab
13
mb
2
SOT404
TO220AB
buk7628-55a
buk7528-55a
d
g
s
六月 2000 1 rev 1.100
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