CY7C056V
CY7C057V
6
初步的
shaded areas 包含 进步 信息.
注释:
7. 交叉 水平 是 v
DD
–
0.2v<V
Z
<0.2v.
8. deselection 为 一个 端口 occurs 如果 ce
0
是 高 或者 如果 ce
1
是 低.
9. f
最大值
= 1/t
RC
= 所有 输入 cycling 在 f = 1/t
RC
(除了 输出 使能). f = 0 意思 非 地址 或者 控制 线条 改变. 这个 应用 仅有的 至 输入 在 cmos 水平的
备用物品 i
SB3
.
10. 测试 initially 和 之后 任何 设计 或者 处理 改变 那 将 影响 这些 参数.
电的 特性
在 这 运行 范围
[7, 8]
参数 描述
CY7C056V
CY7C057V
单位
-10 -12 -15 -20
最小值
典型值
最大值
最小值
典型值
最大值
最小值
典型值
最大值
最小值
典型值
最大值
V
OH
输出 高 电压
(v
DD
= 最小值., i
OH
=
–
4.0 毫安) 2.4 2.4 2.4 2.4 V
V
OL
输出 低 电压
(v
DD
= 最小值., i
OL
= +4.0 毫安) 0.4 0.4 0.4 0.4 V
V
IH
输入 高 电压 2.0 2.0 2.0 2.0 V
V
IL
输入 低 电压 0.8 0.8 0.8 0.8 V
I
OZ
输出 泄漏 电流 -10 10
–
10 10
–
10 10
–
10 10
µ
一个
I
CC
运行 电流 (v
DD
=
最大值., i
输出
= 0 毫安) 输出
无能
Com
’
l. 260 410 250 385 240 360 230 340 毫安
indust.
265 385 毫安
I
SB1
备用物品 电流 (两个都 端口
ttl 水平的 和 deselected)
f = f
最大值
Com
’
l. 60 80 55 75 50 70 45 65 毫安
indust.
65 95 毫安
I
SB2
备用物品 电流 (一个 端口
ttl 水平的 和 deselected)
f = f
最大值
Com
’
l. 185 250 180 240 175 230 165 210 毫安
indust.
190 255 毫安
I
SB3
备用物品 电流 (两个都 端口
cmos 水平的 和 deselect-
ed) f =0
Com
’
l. 0.01 1 0.01 1 0.01 1 0.01 1 毫安
indust.
0.01 1 毫安
I
SB4
备用物品 电流 (一个 端口
cmos 水平的 和 deselect-
ed) f = f
最大值
[9]
Com
’
l. 170 220 160 210 155 200 145 180 毫安
indust.
170 215 毫安
电容
[10]
参数 描述 测试 情况 最大值 单位
C
在
输入 电容 T
一个
= 25
°
c, f = 1 mhz,
V
DD
= 3.3v
10 pF
C
输出
输出 电容 10 pF