1 mb (128k x 8) 静态的 内存
CY62128DV30
MoBL
Cypress 半导体 公司
• 3901 北 第一 街道 • San Jose
,
ca 95134 • 408-943-2600
文档 #: 38-05231 rev. *c修订 8月 29, 2003
特性
• 非常 高 速: 55 和 70 ns
• 宽 电压 范围: 2.2v 至 3.6v
• 管脚 兼容 和 cy62128v
• 过激-低 起作用的 电源
— 典型 起作用的 电流: 0.85 毫安 @ f = 1 mhz
— 典型 起作用的 电流: 5 毫安 @ f = f
最大值
• 过激-低 备用物品 电源
• 容易 记忆 expansion 和 ce
1
, ce
2
, 和 oe
特性
• 自动 电源-向下 当 deselected
• 包装 offered 在 一个 32-含铅的 soic, 一个 32-含铅的 tsop, 一个
32-含铅的 短的 tsop, 和 一个 32-含铅的 反转 tsop
函数的 描述
[1]
这 cy62128dv30 是 一个 高-效能 cmos 静态的 内存
有组织的 作 128k words 用 8 位. 这个 设备 特性 ad-
vanced 电路 设计 至 提供 过激-低 起作用的 电流. 这个
是 完美的 为 供应 更多 电池 生命
(mobl
®
) 在 可携带的
产品 此类 作 cellular telephones. 这 设备 也 有
一个 自动 电源-向下 特性 那 significantly 减少
电源 消耗量 用 90% 当 地址 是 不 toggling.
这 设备 能 是 放 在 备用物品 模式 减少 电源 con-
sumption 用 更多 比 99% 当 deselected 碎片 使能 1
(ce
1
) 高 或者 碎片 使能 2 (ce
2
) 低. 这 输入/输出
管脚 (i/o
0
通过 i/o
7
) 是 放置 在 一个 高-阻抗 状态
当: deselected 碎片 使能 1 (ce
1
) 高 或者 碎片 使能
2 (ce
2
) 低, 输出 是 无能 (oe高), 或者 在 一个
写 运作 (碎片 使能 1 (ce
1
) 低 和 碎片 使能 2
(ce
2
) 高 和 写 使能 (我们)低).
writing 至 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片 使能 1
(ce
1
) 低 和 碎片 使能 2 (ce
2
) 高 和 写 en-
能(我们
) 低. 数据 在 这 第八 i/o 管脚 是 然后 写 在
这 location 指定 在 这 地址 管脚 (一个
0
thro. 一个
16
).
读 从 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片 en-
能 1 (ce
1
) 低 和 碎片 使能 2 (ce
2
) 高 和 输出
使能 (oe) 低 当 forcing 这 写 使能 (我们) 高.
下面 这些 情况, 这 内容 的 这 记忆 location
指定 用 这 地址 管脚 将 呈现 在 这 i/o 管脚.
这 第八 输入/输出 管脚 (i/o
o
通过 i/o
7
) 是 放置 在 一个
高-阻抗 状态 当 这 设备 是 deselected (ce
1
高 或者 ce
2
低), 这 输出 是 无能 (oe 高) 或者
在 一个 写 运作 (ce
1
低, ce
2
高), 和 我们
低).
便条:
1. 为 最好的-实践 recommendations, 请 谈及 至 这 cypress 应用 便条 “system 设计 guidelines” 在 http://www.cypress.com.
逻辑 块 图解
15
一个
1
一个
2
一个
3
一个
4
一个
5
一个
6
一个
7
一个
8
COLUMN
解码器
行 解码器
sense 放大器
数据 在 驱动器
电源-
向下
我们
OE
i/o
0
i/o
1
i/o
2
i/o
3
128k x 8
排列
i/o
7
i/o
6
i/o
5
i/o
4
一个
0
一个
12
一个
14
一个
13
一个
一个
16
一个
9
A10
A11
CE
1
CE
2
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