CY62128DV30
MoBL
文档 #: 38-05231 rev. *c 页 4 的 11
交流 测试 负载 和 波形
数据 保持 特性
数据 保持 波形
便条:
7. 全部 设备 运作 需要 直线的 v
CC
ramp 从 v
DR
至 v
cc(最小值.)
> 100 美国.
热的 阻抗
参数 描述 测试 情况 SOIC tsop i STSOP 单位
θ
JA
热的 阻抗 (接合面 至 包围的)
[6]
安静的 空气, 焊接 在 一个 3 x 4.5 inch,
二-layer 打印 电路 板
69 93 65 °c/w
θ
JC
热的 阻抗 (接合面 至 情况)
[6]
34 17 15 °c/w
V
CC
典型值
V
CC
OUTPUT
R2
c = 50 pf
包含
jig 和
SCOPE
地
90%
10%
90%
10%
输出 V
TH
相等的 至: TH
Évenin 相等的
所有 输入 脉冲
R
TH
R1
上升 时间:
1 v/ns
下降 time:
1 v/ns
L
参数 3.0v (2.7
–
3.6v) 单位
R1 1103
Ω
R2 1554
Ω
R
TH
645
Ω
V
TH
1.75 V
2.5v (2.2
–
2.7v)
16600
15400
8000
1. 2
参数 描述 情况 最小值 典型值
[5]
最大值 单位
V
DR
V
CC
为 数据 保持 1.5 V
I
CCDR
数据 保持 电流 V
CC
= 1.5v, ce
1
> v
CC
−
0.2v, ce
2
<0.2v,
V
在
> v
CC
−
0.2v 或者 v
在
<0.2v
L4
µ
一个
LL 3
t
CDR
[5]
碎片 deselect 至 数据 保持 时间 0 ns
t
R
[7]
运作 恢复 时间 100
µ
s
V
cc(最小值.)
V
cc(最小值.)
t
CDR
V
DR
> 1.5v
数据 保持 模式
t
R
CE
1
V
CC
CE
2
或者